トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
サブミクロンチャネル長を有するトップコンタクト型有機薄膜トランジスタの新規作製法の提案と作製およびトランジスタ特性評価を試みた。チャネル長100-400nmを中心にトランジスタを作製した。サブミクロン有機トランジスタでは、トランジスタ特性が有機半導体と電極金属あるいは基板との界面に大きく依存する。これを実験によって示し、それぞれの界面の改善と制御を試みた。短チャネル有機トランジスタでおこる短チャネル効果について総括し議論する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-12-11
著者
-
三成 剛生
物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
塚越 一仁
独立行政法人理化学研究所
-
青柳 克信
独立行政法人理化学研究所
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
東工大総合理工学:crest(jst)
-
塚越 一仁
産総研:crest(jst)
-
塚越 一仁
物材機構:産総研ナノテクノロジー:理研
-
塚越 一仁
独立行政法人物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点
-
三成 剛生
独立行政法人理化学研究所
-
藤森 文浩
独立行政法人理化学研究所
-
重藤 訓志
独立行政法人理化学研究所
-
濱野 哲子
独立行政法人理化学研究所
-
宮寺 哲彦
独立行政法人理化学研究所
-
青柳 克彦
理研フロンティア
-
藤森 文浩
独立行政法人理化学研究所:東京工業大学総理工
関連論文
- 22pGS-3 κ型ET塩に対する静電キャリアドーピングIII(22pGS 界面デバイス2,領域7(分子性固体・有機導体))
- 有機/金属電荷移動現象とそのデバイス応用
- 28aYF-13 κ型ET塩に対する静電キャリアドーピングII(28aYF κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 23aTC-13 κ型ET塩に対する静電キャリアドーピング(23aTC κ-ET系,領域7(分子性固体・有機導体))
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- ナノカーボン材料伝導研究のための架橋型ナノ電極作製と応用
- 29pZB-6 ナノギャップ電極上 C_ クラスター薄膜の伝導特性
- 14pYD-3 有機トランジスタ特性における基板および端子に関して(主題 : 酸化物・分子性導体電界効果トランジスタ開発の現状と展望, 領域 8)
- 14pYD-3 有機トランジスタ特性における基板および端子に関して(主題 : 酸化物・分子性導体電界効果トランジスタ開発の現状と展望, 領域 7)
- 14aYD-2 MWNT におけるキャリア注入による朝永・ラッティンジャー液体的振る舞いの消失(ナノチューブ伝導, 領域 7)
- 20aXF-13 多層カーボンナノチューブの層間電子輸送
- 28pPSA-20 電流注入効果による磁性細線内磁壁のドラッギング
- 30aYG-4 ルブレン単結晶の電子構造の光電子分析(30aYG 界面・分子デバイス,領域7(分子性固体・有機導体))
- 24aWB-2 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aWB-9 グラファイト超薄膜-強磁性体接合の電気伝導特性II(グラフェン(電子物性・スピン),領域7,領域4合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-7 グラファイト超薄膜 : 強磁性体接合の電気伝導特性(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-8 グラファイト超薄膜における超伝導近接効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- 24aRA-9 グラファイト超薄膜の電気伝導におけるAlトップゲートによる電界効果(グラファイト・グラフェン,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンナノチューブ結合量子ドットの形成と量子相関デバイスへの応用
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- カーボンナノチューブを用いた単一および結合量子ドット
- ナノテクノロジーと深紫外発光素子の開発
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 原子レベルの表面構造制御による窒化物半導体の欠陥密度の低減
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 28aUA-7 二層カーボンナノチューブの光物性(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27aYN-9 孤立単層ナノチューブ集合体の共鳴ラマン散乱-III(ナノチューブ物性2(光物性),領域7(分子性固体・有機導体))
- グラフェン素子の作り方とゲート電界による伝導変調
- グラフェンの電気伝導の現状と可能性
- 多層グラフェンにおける超伝導近接効果(不均一超伝導超流動状態と量子物理,研究会報告)
- 28pRC-10 ホール効果でみる有機単結晶への電界効果キャリア注入(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- 18pRG-9 グラファイト超薄膜-金属接合の電気伝導特性(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 18pRG-7 グラファイト超薄膜における近接効果による超伝導電流の観測(グラファイト,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26aZB-11 グラファイト超薄膜/金属電極接合の電極依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26aZB-12 グラファイト超薄膜の電気伝導の磁場・ゲート電圧依存性(26aZB グラファイト,領域7(分子性固体・有機導体))
- ナノチューブ電極を用いたナノギャップ有機トランジスタ
- 28pRC-16 銅フタロシアニン単結晶の電界効果とキャリヤ輸送特性(28pRC 分子素子,領域7(分子性固体・有機導体))
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 表面選択塗布法による選択的有機結晶成長とデバイス応用(応用を視野においた有機半導体の結晶成長)
- 有機トランジスタの端子と電流注入
- 21aRJ-10 ペンタセン薄膜トランジスタの過渡応答の起源とバイアスストレス(有機FET1,領域7,分子性固体・有機導体)
- トップコンタクト短チャネル有機薄膜トランジスタ(有機トランジスタ,有機材料・デバイス(有機トランジスタ,化学センサなど),一般)
- 29pYS-10 カーボンナノチューブにおける量子ドット的電気伝導
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 28aUA-3 孤立カーボンナノチューブの共鳴ラマン散乱(28aUA ナノチューブ光物性II,領域7(分子性固体・有機導体))
- 19pTJ-6 多層カーボンナノチューブの1次元伝導III
- ナノスケール物質電気伝導探索のためのナノギャップ電極作製と応用
- 低次元ナノ構造物質の電気特性
- SSDM2002国際会議報告
- 磁場印加下で2次元スキャン可能な近接場光学顕微鏡の開発
- 21pXA-6 単層カーボンナノチューブの電気化学トランジスタ(フラーレン・ナノチューブ伝導,領域7(分子性固体・有機導体))
- 20pTH-11 ホール局在した n 型量子ドットアレーの近接場発光分光
- 31aYE-4 高分解能近接場光学顕微鏡による GaAs 量子ドットの励起子波動関数イメージング II
- 30pYH-12 ホールの局在した n 型量子ドットアレーの円偏向発光分光 II
- 28pTB-13 量子ドット正方格子のフェルミ面近傍時間分解発光スペクトルII
- 28pTB-12 量子ドット正方格子の空間分解発光スペクトル
- 横方向超格子ナノ構造の発光分光
- 横方向超格子ナノ構造の発光分光
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
- レーザー材料として見た半導体 : (In)AlGaN窒化物混晶の結晶成長と300nm帯紫外高輝度LEDへの応用
- InAIGaN四元混晶を用いた300nm帯紫外高輝度LEDの開発
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED
- カーボンナノチューブを用いた量子ナノデバイス : 量子相関デバイスの実現に向けて
- 23pPSB-34 光アンテナを用いたナノスケール局所電場変調分光(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
- カーボンナノチューブ量子ドットのテラヘルツ光応答(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- 異種基板上へのカーボンナノチューブ量子ドットの作製と評価
- 14pYB-8 単層カーボンナノチューブ量子ドットの励起スペクトル(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- 30aYA-12 単層カーボンナノチューブ量子ドットにおけるShell Fillingとゼーマン分裂の観測(量子ドット(開放型・結合型・その他))(領域4)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- カーボンナノチューブ量子ドットにおける単一電子スピンの発生 : スピンの量子操作を目指して(量子効果デバイス及び関連技術)
- 28aYH-5 単電子トランジスタの電磁場環境問題
- 20aYH-6 量子ドットやドット列におけるフラクタル的な磁気抵抗
- 18pYJ-4 マルチ結合量子ドットにおける伝導度ゆらぎ
- 28aYX-10 多層カーボンナノチューブの1次元伝導 II
- 28aYS-9 ドットアレイにおける閉じ込め効果
- 27aTC-10 量子ドット列における低温磁気抵抗のフラクタル性
- 22pRB-6 シリコン基板上でのBEDT-TTF錯体合成と輸送特性の評価(ゼロギャップ・1次元系,領域7,分子性固体・有機導体)
- 19pRG-7 DMe-DCNQI錯体徴結晶の電気伝導特性(金属架橋・結晶成長・高分子,領域7,分子性固体・有機導体)
- 26pYB-2 シリコン基板上に成長させた(DMe-DCNQI)_2Agのナノサイズ結晶の電気特性(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 27pYN-1 カーボンナノチューブFETの四端子伝導度測定(ナノチューブ物性3(伝導 (含むFET)),領域7(分子性固体・有機導体))
- 31aZB-7 多層カーボンナノチューブにおける朝永・ラッティンジャー液体的振る舞い II
- 19pTJ-5 多層カーボンナノチューブ単一電子トランジスタにおけるクーロン振動の特異な磁場依存性
- 19pTJ-4 金属/多層ナノチューブ/金属構造におけるクーロン・ブロッケード
- 13aWF-3 孤立単層ナノチューブ集合体の共鳴ラマン散乱-II(ナノチューブ光物性, 領域 7)
- 26pYB-3 BEDT-TTF系有機導体を用いたナノサイズ結晶の電気特性(26pYB 微小結晶,BETS系,DMIT系,領域7(分子性固体・有機導体))
- 29pUB-8 ナノ加工とナノ物質伝導(29pUB 領域7シンポジウム:分子性半導体素子の新展開,領域7(分子性固体・有機導体))
- 26pYT-7 微小超伝導/常伝導円板の磁気応答(微小超伝導体,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 24aS-12 炭素ナノチューブにおける電子スピンのコヒーレント輸送
- 25pF-10 Spin-polarized transport in a ferromagnetically contacted carbon nanotube
- 22pRA-6 有機トランジスタにおける電極からチャネルへの電流注入プロセス(領域7シンポジウム 主題:『進化』する有機トランジスタ,領域7,分子性固体・有機導体)
- カーボンエレクトロニクスの現状と未来 (特集 カーボンナノチューブ--期待される材料開発)
- 炭素ナノチューブへのスピン注入
- interview 印刷技術応用の塗布法で大面積・低コストの有機半導体デバイスを開発--(独)物質・材料研究機構 MANA研究者/(独)理化学研究所 客員研究員 三成剛生氏
- 電界効果有機薄膜素子の接合および界面に関して
- 溶液から高移動度有機結晶トランジスタ (特集 次世代ディスプレイを実現するフレキシブル有機エレクトロニクス)
- 22aED-6 非磁性/強磁性接合におけるスピン流誘起強磁性共鳴の検出(22aED スピントロニクス(スピン流・スピン蓄積・スピン波・スピンホール効果),領域3(磁性,磁気共鳴))
- 表面選択塗布法による有機トランジスタの形成