InAlGaN4元混晶を用いた330-350nm帯高効率紫外LED

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概要

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本稿では、300nm帯の高輝度紫外光素子を実現するためのInAlGaN4元混晶の高品質結晶作製について概説する。我々はAlGaNにInを5%程度含有すると、In組成変調効果によって、300nm帯の紫外領域発光が大幅に増強されることを明らかにした。様々な組成のIn_xAl_yGa_<1-x-y>N4元バルク混晶を作製し、320nm-380nmの紫外波長で、InGaNの青色発光と同等の高輝度が室温において得られた。またIn_xAl_yGa_<1-x-y>N4元混晶を用いた量子井戸を作製し290nm-390nmの室温高輝度発行を得た。さらにInAlGaNを活性層に用いた紫外LEDを試作し345nmの高輝度発光を得た。これらの結果から、InAlGaN4元混晶は300nm帯の紫外高輝度LED、LDの実現に大変有用であると考えられる。
2001-10-04

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