InAlGaN4元混晶を用いた330mm帯高効率紫外LED : 紫外線発光の現状と将来シンポジウム
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概要
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We report on the growth and optical properties of quaternary InAlGaN for the application of 300-350nm-band ultraviolet (UV) emitting devices. We demonstrated that the 300-nm-band UV emission is considerably enhanced by the In-segregation effect upon introducing 1-5% of In into AlGaN. We fabricated In_<x1>Al_<y1>Ga_<1-x1-y1>N/In_<x2>Al_<y2>Ga_<1-x2-y2>N multi-quantum wells (MQWs) with various compositions, and obtained room temperature intense emission in the wavelength of 290-380 nm. The emission from the InAlGaN-based MQWs was as strong as that of blue emission from InGaN-based QWs. We also fabricated UV-LEDS using a quatemary InAIGaN active region and achieved high-efficiency 330 nrn emission under R.T. CW operation.
- 2002-07-01
著者
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
青柳 克信
理研
-
青柳 克信
立命館大学coe推進機構
-
青柳 克信
理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
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