ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
我々は,横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて,Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外発光ダイオード(深紫外LED)の作製に成功した.Si基板上のAlNテンプレートでは,通常,SiとAlNとの格子定数差,及び,熱膨張係数差の関係から,大きな引張応力が印加され,クラックの発生,及び,貫通転位密度(TDD)の増加が課題となっている.そこで,本研究では,ELOとアンモニアパルス多段成長法とを組み合わせた結果,クラックを抑制した,膜厚4μmでTDDが低いELO-AlNテンプレートを開発した.さらに,このELO-AlN/Siテンプレート上に作製したAlGaN系深紫外LEDは,280nm以下の短波長をシングルピークで発光し,Si基板上の低コスト深紫外LEDの実現,さらには,Siを中心とした半導体回路と同じチップ上への搭載も期待される.
- 2011-11-10
著者
-
杉山 正和
東京大学
-
平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
理化学研究所
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
美濃 卓哉
BEANSプロジェクト
-
高野 隆好
BEANSプロジェクト
-
椿 健治
BEANSプロジェクト
-
平山 秀樹
BEANSプロジェクト
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
美濃 卓哉
理化学研究所:パナソニック電工株式会社
-
高野 隆好
理化学研究所
-
椿 健治
理化学研究所
-
美濃 卓哉
理化学研究所
関連論文
- 第25回「センサ・マイクロマシンと応用システム」シンポジウム
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 23aK-13 AlGaN化合物半導体の真空紫外反射スペクトル
- アンチサーファクタントによる GaN 層の低転位化
- 24pSB-6 III-V窒化物半導体の真空紫外反射・吸収スペクトル
- 25aC-6 III-V族化合物半導体のK内殻吸収
- GaN量子ドットの成長機構とその光学特性 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- GaN量子ドットの作製とレーザーへの応用
- 窒化物4元混晶を用いた高効率紫外LED
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高出力化
- 多点型電極を用いたカーボンナノチューブの誘電泳動
- 合成石英のフェムト秒レーザーアシスト・ドライエッチング : ナノ周期構造の選択的エッチング
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜における酸化剤効果
- MEMS応用に向けた超臨界流体を用いた金属薄膜形成技術の開発
- 高アスペクトトレンチへの選択的自己組織化微粒子配列
- Si基板上高品質AlNテンプレートの開発
- SPMリソグラフィ用耐摩耗マイクロプローブ
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- LED-8 サファイア基板上の高品質AINバッファー上に作製した227-261nm深紫外AlGaN系LED
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 220-270nm AlGaN系深紫外LEDの進展(光に関わる材料の世界 その1 : 多彩な固体発光材料の世界)
- 230-270nm深紫外AlGaN系LEDの進展
- 深紫外半導体発光素子およびTHz量子カスケードレーザの開発
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 250-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの開発 (特集 LED照明の最近の動向)
- 230-350nm帯AlGaN系紫外高輝度LEDの進展と応用 (特集 こんなところにLED)
- 超臨界流体を用いたSiO_2製膜の開発
- 材料結合性ペプチド・抗体を用いたナノ世界での異種材料接合技術
- T1101-1-5 DRIE加工溝側壁の濡れ性を利用した選択的微粒子自己整列(マイクロナノ理工学:nmからmmまでの表面制御とその応用(1))
- 半導体への電界の浸みこみを考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 周期溝加工AlN/サファイア上への減圧HVPE法によるAlN成長(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 界面準位を考慮した櫛歯アクチュエータの特性解析
- InAlGaN 4元混晶を用いた紫外LEDの短波長化と高効率化(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlGaN系殺菌用途紫外LEDの進展と今後の展望
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 230nm帯AlGaN紫外LEDの高出力化(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレート上に作製した270nm帯AlGaN紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 280nm帯InAlGaN高出力紫外LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた高出力紫外LEDの開発
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
- 31p-K-5 GaN量子ドットレーザーの試作(2) : Mgドーピングp-AlGaNのC-V評価
- 28pXQ-10 AlGaNおよびInAlGaN系における紫外発光(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 23aTA-8 InAlGaN 混晶系における内殻励起による可視・紫外発光
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 減圧HVPE法による周期溝加工AlN/サファイア上へのELO-AlN(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-4-15 AlGaN系深紫外LEDの高効率化(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題
- InAlGaN窒化物4元混晶を用いた紫外高輝度LEDの進展と課題(光記録及び磁気記録一般)
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 330nm帯紫外発光InAlGaN量子井戸からの高い内部量子効率の観測(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- パワー半導体レーザと応用の動向
- InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討
- InAlGaN4元混晶を用いた330nm帯高効率紫外LED(紫外発光材料の現状と将来)
- 29a-WD-5 実時間実空間差分法シュレーディンガー方程式による線形応答関数の数値計算
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価
- AlGaN系深紫外LEDの進展と展望
- 深紫外領域AlGaN系結晶のフォトルミネッセンス評価(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- MNM-P11-2 ゲート・チャネル間の電気機械相互作用を考慮したVB-FETのモデリング(P11 電気等価回路から考えるMEMS設計手法)
- AlGaN系深紫外LED
- 窒化物材料系テラヘルツ帯量子カスケードレーザーの開発
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- m軸およびa軸オフ角C面サファイア基板上のAlN結晶成長の特徴と高出力AlGaN深紫外LEDの作製(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- テラヘルツ量子カスケードレーザの進展と今後の展望(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- GaN系THz帯量子カスケードレーザ構造の作製と自然放出光の観察(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (レーザ・量子エレクトロニクス)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み (電子デバイス)
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- 反応工学
- ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaN系深紫外LEDの高効率化への取り組み(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 26pPSB-4 AlGaN三元化合物半導体混晶の赤外反射(26pPSB,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
- 材料結合性ペプチドを用いたカーボンナノチューブ薄層形成とその特性評価
- ナノ流路を用いて作製したアトリットルドロップレットとドロップレット内部での酵素反応