p-InAlGaNと高品質AlNを用いた340nm帯高出力LED(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
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概要
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波長230-350nm帯の短波長紫外LEDの開発は最近多くの研究グループで始められているが、その発光効率は依然低いのが現状である。我々はInAlGaN4元混晶量子井戸を発光層に用い、In組成変調効果を用いる事により、波長230-350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回、p型層にInAlGaN層を用いたLED構造を高品質AlN/AlGaNテンプレート上に作製した。電流注入機構、AlN/AlGaNテンプレートの結晶性を改善する事で、波長346nmにおいて、室温CW光出力8.4mW、外部量子効率0.9%を実現した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-10-04
著者
-
平山 秀樹
理研
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所
-
近藤 行廣
松下電工株式会社ウェル・ラボ
-
高野 隆好
BEANSプロジェクト
-
平山 秀樹
独立行政法人理化学研究所
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所
-
高野 隆好
松下電工株式会社
-
近藤 行廣
松下電工株式会社
-
藤川 紗千恵
独立行政法人理化学研究所:埼玉大学理工学研究科:独立行政法人科学技術振興機構、crest
-
平山 秀樹
(独)理化学研究所 基幹研究所 先端光科学研究領域 テラヘルツ光研究グループテラヘルツ量子素子研究チーム
-
藤川 紗千恵
独立行政法人 理化学研究所
-
平山 秀樹
独立行政法人 理化学研究所
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