InAlGaN4元混晶紫外LEDの高効率化の検討(結晶成長, 評価技術及びデバイス(化合物, Si, SiGe, その他電子材料))

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概要

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波長350nm以下の短波長紫外LEDの開発は最近多くの研究グループで始められているが、その発光効率は依然低いのが現状である。我々はInAlGaN4元混晶量子井戸を発光層に用いIn組成変調効果を用いる事により、波長250-350nm帯の高効率紫外発光デバイスの実現を目指している。今回、InAlGaN4元混晶の成長圧力をコントロールすることにより、酸素不純物の含有濃度が1桁程度低減し発光効率が大きく増加する事が分かった。また、これらの成長条件を用いInAlGaN量子井戸を作製し、波長295nmにおいて室温高効率PL発光を得た。また、高品質サファイア/AlNテンプレート上にInAlGaN4元混晶量子井戸LED構造を作製し、303-312nmにおける電流注入発光を得た。さらに、波長250-350nm帯紫外LEDの動作シミュレーションを行い、電子ブロック層が窒化物紫外LEDの高効率化に大変重要な役割を果たす事を示した。
2005-05-19

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