非発光再結合準位の2波長励起フォトルミネッセンス測定
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概要
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試料構造、形状によらず、非接触で非発光再結合準位の評価が行える2波長励起フォトルミネッセンス法を用いて、GaN系半導体多重量子井戸(MQW)構造内の非発光再結合準位を検出、評価した。準位の空間分布、エネルギー分布を調べ、Yellow Luminescenceを含む再結合過程への影響を検討した。GaN/AlGaN MQWに関しては、MQW周期数や緩衝層厚の増加により、非発光再結合準位濃度の低減が可能であることを示した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2003-02-14
著者
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
-
荒川 泰彦
東京大学 ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構
-
高橋 史学
埼玉大学工学部
-
岡本 航
埼玉大学工学部
-
Klausing Harald
ハノーバー大学
-
荒川 泰彦
ハノーバー大学東京大学先端研
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
岡本 航
埼玉大学工学部機能材料工学科
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