シリコン系微粒子の二波長励起フォトルミネッセンス効果
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概要
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二波長励起フォトルミネッセンス法を用いて、電解重合法で合成したシリコン系微粒子の評価を試みた。AGE光(〜4.13eV)にBGE光(1.17eV)を重畳照射したところ、数十秒の時定数を伴ったPL強度の減少(BGE効果、I_<AGE+BGE>/I_<AGEgtl<1)が観測され、非発光再結合準位が検出された。BGE効果の熱処理温度依存性から、アニール効果による微粒子内欠陥濃度の低下を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-09-13
著者
-
相原 聡
NHK放送技術研究所
-
鎌田 憲彦
埼玉大学工学部
-
照沼 大陽
埼玉大学工学部
-
幡野 健
埼玉大学理工学研究科
-
福原 三世
埼玉大学工学部 機能材料工学科
-
塚本 徹
埼玉大学工学部 機能材料工学科
-
幡野 健
埼玉大学工学部 機能材料工学科
-
白井 肇
埼玉大学工学部 機能材料工学科
-
荒又 幹夫
信越化学(株)
-
鎌田 憲彦
埼玉大 工
-
照沼 大陽
埼玉大学理工学研究科
-
照沼 太陽
埼玉大学工学部機能材料工学科
-
幡野 健
埼玉大学
-
相原 聡
Nhk技研
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