15-1 有機撮像デバイスの高解像度化に向けた直接積層構造の開発(第15部門情報センシング1)
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概要
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In this study, we successfully fabricated a photosensor using red (R)- and green (G)-sensitive organic photoconductive films with In-Ga-Zn-O thin-film transistor readout circuits. The R- and G-sensitive layers were separated by 10-μm-thick interlayer insulator. All fabrication process was implemented at a temperature of 150℃ or less.
- 2013-08-28
著者
-
久保田 節
NHK放送技術研究所
-
瀬尾 北斗
NHK放送技術研究所
-
相原 聡
NHK放送技術研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所
-
古田 守
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
堺 俊克
NHK放送技術研究所
-
古田 守
高知工科大学
-
瀬尾 北斗
日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス
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