8-5 a-Si TFT用ゲート絶縁膜の検討(第8部門 センシング)
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概要
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We study the gate insulators of amorphous silicon thin film transistor(a-Si TFT). We confirmed that silicon oxide films using TEOS deposited by p-CVD is suitable for the gate insulator of a-Si TFT.
- 2007-11-27
著者
-
瀬尾 北斗
NHK放送技術研究所
-
相原 聡
NHK放送技術研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所
-
林田 哲哉
NHK放送技術研究所
-
林田 哲哉
NHKエンジニアリングサービス
-
浜本 隆之
東京理科大学
-
瀬尾 北斗
NHK技研
-
井上 圭太
東京理科大学工学研究科電気工学専攻
-
瀬尾 北斗
日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス
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