HARP積層型CMOS撮像素子用Au画素電極の形成
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概要
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高感度固体撮像素子の実現を目指し、HARP膜とCMOS信号読み出し回路とを組み合わせたHARP膜積層型CMOS撮像素子の研究を進めている。本素子を実現するために、従来はHARP膜とCMOS信号読み出し回路間をインジウムマイクロバンプを介して直接接合していた。しかしこの方法では、インジウムマイクロバンプの不均一性に起因した固定パターンノイズが発生するという問題が生じていた。今回、この問題を解決するために、HARP膜側に各画素に対応した一定の面積のAu電極を形成したのち、インジウムマイクロバンプを用いて接合する技術を開発した.これにより固定パターンノイズを著しく低減させることに成功した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2002-11-14
著者
-
江上 典文
NHK放送技術研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所
-
井口 義則
NHK放送技術研究所
-
谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
-
丸山 裕孝
NHK放送技術研究所
-
宮川 和典
NHKエンジニアリングサービス
-
鈴木 四郎
NHK放送技術研究所
-
宮川 和典
NHK放送技術研究所
-
高畠 保
NHK放送技術研究所
-
山内 正仁
NHK放送技術研究所
-
林田 哲哉
NHK放送技術研究所
-
山内 正仁
日本放送協会
-
林田 哲哉
NHKエンジニアリングサービス
-
丸山 裕孝
Nhk放送センター
-
松下 裕樹
NHK放送技術研究所
-
石黒 雄一
NHK仙台放送局
-
丸山 祐孝
Nhk 放送技術研究所
-
井口 義則
日本放送協会放送技術研究所新機能デバイス研究部
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