24-6 団体HARP用高S/N信号読み出し回路検討
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概要
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We developed a CMOS readout circuit with large S/N for a solid-state HARP imaging devices. A CMOS readout circuit is composed of a charge transfer type voltage multiplier and CDS circuit. We designed the charge transfer circuit to achieve a voltage gain of about 4 and realize large S/N. A prototype chip was fabricated with 1.5μm, 2metal, 2poly CMOS technology and the characteristics of the circuit were evaluated.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2001-08-27
著者
-
江上 典文
NHK放送技術研究所
-
渡部 俊久
NHK放送技術研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所
-
後藤 正英
NHK放送技術研究所
-
谷岡 健吉
NHK放送技術研究所
-
国分 秀樹
NHK放送技術研究所
-
渡辺 敏英
NHK放送技術研究所
-
渡部 俊久
Nhk放送技術研究所:静岡大学創造科学技術大学院
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