非晶質シリコン薄膜のX線照射による結晶化
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概要
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The X-Ray irradiation effect on crystallization of amorphous silicon was investigated by Raman spectroscopy and electron microscopy. It was found that X-ray irradiation enhanced both solid-phase homogeneous nucleation and epitaxy free from dislocations. Characterization of the crystallization by Raman spectroscopy and electron microscopy shows that the quality of the thin film is much better than that by a conventional method.
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1991-07-28
著者
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