HARP膜積層CMOS撮像素子の積層技術
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概要
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高感度固体撮像素子の実現に向け、HARP膜積層CMOS撮像素子の研究を進めている。本報告では、この撮像素子の実現に不可欠な要素技術である信号読み出しMOSトランジスタの高耐圧化とHARP膜積層技術について述べる。前者に関しては、ドレイン部分に電界緩和層を導入する手法を、後者に関しては、新たにCMOS読み出し回路上に直接HARP膜を蒸着する手法を考案した。これらの技術を適用して厚さ0.4μmのHARP膜を積層したCMOS撮像素子を試作し、撮像実験を行った結果、HARP膜による電荷増倍効果を伴った映像が得られることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2001-06-13
著者
-
渡部 俊久
NHK放送技術研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所
-
田島 利文
NHK放送技術研究所
-
阿部 正英
NHK放送技術研究所
-
国分 秀樹
NHK放送技術研究所
-
渡辺 敏英
NHK放送技術研究所
-
阿部 正英
広島国際大学社会環境科学部
-
小杉 美津男
NHK放送技術研究所
-
山内 正仁
NHK放送技術研究所
-
林田 哲哉
NHK放送技術研究所
-
小杉 美津男
NHK福岡放送局
-
諸星 光造
NHK放送技術研究所
-
石黒 雄一
NHK放送技術研究所
-
山野 浩司
NHK広島放送局
-
山内 正仁
日本放送協会
-
林田 哲哉
NHKエンジニアリングサービス
-
石黒 雄一
NHK仙台放送局
-
渡部 俊久
Nhk放送技術研究所:静岡大学創造科学技術大学院
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