22-1 カルコパイライト型半導体を適用した光電変換膜の基礎検討(第22部門情報センシング(2))
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概要
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We investigated the possibility of a photoconductor using CIGS chalcopyrite semiconductors for solid-state image sensors. CIGS chalcopyrite semiconductors have both a high absorption coefficient and a high quantum efficiency. However, the dark current of them is too high for image sensors. In this study, we proposed a hole-blocking structure using gallium oxide for the CIGS photoconductor. As a result, we could drastically reduced the dark current. Then, the avalanche multiplication phenomenon was observed at an applied voltage of over 6 V.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2012-08-29
著者
-
久保田 節
NHK放送技術研究所
-
菊地 健司
NHK放送技術研究所
-
宮川 和典
NHK放送技術研究所
-
為村 成亨
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
菊地 健司
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部:慶應義塾大学大学院
-
久保田 節
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
宮川 和典
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
為村 成亨
NHK放送技術研究所
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