12-7 暗電流低減によるHARP膜の感度向上(第12部門 情報センシング2)
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概要
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We enhanced the hole-injection blocking structure in a high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor (HARP) film by introducing a new process to the CeO_2 layer deposition. With the new CeO_2 layer, the dark current of the HARP film reduced and the maximum avalanche multiplication factor was improved twice successfully.
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2008-08-01
著者
-
久保田 節
NHK放送技術研究所
-
江上 典文
NHK放送技術研究所
-
宮川 和典
NHKエンジニアリングサービス
-
松原 智樹
NHK放送技術研究所
-
菊地 健司
NHK放送技術研究所
-
鈴木 四郎
NHK放送技術研究所
-
宮川 和典
NHK放送技術研究所
-
江上 典文
Nhk放送技術研究所撮像デバイス
-
大川 裕司
Nhk放送技術研究所:静岡大学大学院
-
久保田 節
Nhk 放送技研
-
菊地 健司
日本放送協会放送技術研究所
-
江上 典文
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
松原 智樹
日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス
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