古田 守 | 高知工科大学
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概要
関連著者
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古田 守
高知工科大学
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古田 守
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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平尾 孝
高知工科大
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平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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松田 時宜
高知工科大学
-
古田 守
高知工科大学ナノデバイス研究所
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平松 孝浩
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
松田 時宜
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
平尾 孝
高知工科大学総合研究所
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古田 寛
高知工科大学
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久保田 節
NHK放送技術研究所
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瀬尾 北斗
NHK放送技術研究所
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相原 聡
NHK放送技術研究所
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Furuta H
Graduate School Of Science Osaka University
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Furuta Hiroshi
Department Of Earth And Space Science Osaka University
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Furuta H
Research Institute For Nanodevices Kochi University Of Technology
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古田 寛
大阪大学・理学部
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Furuta Hiroshi
Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan
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瀬尾 北斗
日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス
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大竹 浩
NHK放送技術研究所
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川原村 敏幸
高知工科大学
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江上 典文
NHK放送技術研究所
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渡部 俊久
NHK放送技術研究所
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江上 典文
Nhk放送技術研究所撮像デバイス
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江上 典文
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
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古田 守
高知工科大学ナノテクノロジー研究所
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江上 典文
近畿大学
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難波 正和
NHK放送技術研究所
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堺 俊克
NHK放送技術研究所
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李 朝陽
高知工科大
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久保田 節
Nhk 放送技研
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瀬尾 北斗
NHK技研
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渡部 俊久
Nhk放送技術研究所:静岡大学創造科学技術大学院
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眞田 克
高知工科大学
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李 朝陽
高知工科大学ナノデバイス研究所
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川原村 敏幸
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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相原 聡
Nhk技研
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堺 俊克
NHK技研
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島川 伸一
高知工科大学 ナノテクノロジー研究所
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新田 浩士
高知工科大学 ナノデバイス研究所
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平松 孝浩
高知カシオ株式会社
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青木 勝詔
ソナック(株)
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鈴木 恵友
ソナック(株)
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高梨 久美子
ソナック(株)
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石井 一久
ソナック(株)
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SATYANARAYANA B.
ソナック(株)
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尾浦 憲治郎
大阪大学大学院
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OHTAKE Hiroshi
NHK Science & Technical Research Laboratories
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平尾 孝
高知工科大 ナノデバイス研
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尾浦 憲治郎
阪大工
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藤田 静雄
京都大学大学院
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内田 貴之
京都大学大学院工学研究科
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平松 孝浩
高知工科大学ナノデバイス研究所
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平尾 孝
高知工科大学ナノデバイス研究所
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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平尾 孝
高知工科大学
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川原村 敏幸
高知工科大学ナノテクノロジー研究所
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王 大鵬
高知工科大学 電子・光工学専攻
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古田 寛
高知工科大学ナノデバイス研究所
-
李 朝暘
高知工科大学ナノテクノロジー研究所
-
鎌田 雄大
京都大学大学院工学研究科
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島川 伸一
高知工科大学ナノテクノロジー研究所
-
古田 守
高知工科大学 ナノテクノロジー研究所
-
大竹 浩
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
相原 聡
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
松田 時宜
高知工科大学ナノデバイス研究所
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渡部 俊久
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
-
堺 俊克
NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部
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眞田 克
高知工科大学システム工学群
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眞田 克
高知工科大学 システム工学群
-
内田 貴之
高知工科大学 システム工学群
-
王 大鵬
高知工科大学 ナノテクノロジー研究所
-
川原村 敏幸
高知工科大学 ナノテクノロジー研究所
-
古田 守
高知工科大学 環境理工学群
著作論文
- 有機光導電膜とZnO TFT回路の積層構造を用いた有機撮像デバイスの原理実証実験
- 基板バイアスにより制御されたZnO薄膜の結晶性とドライエッチングにより形成される側壁形状との相関
- 選択エッチング法によるナノサイズ炭素エミッタ形成
- 酸化亜鉛TFTを信号読出し回路に用いた有機膜積層型撮像デバイス(高機能イメージセンサとその応用)
- 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
- カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用
- 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
- 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
- 高知工科大学ナノテクノロジー研究所ナノ材料デバイス研究グループ(研究室紹介)
- 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
- 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
- カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用
- 酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響(シリコン関連材料の作製と評価)
- 11-13 信号読出し回路に酸化亜鉛TFTを用いた有機膜積層型撮像デバイス(第11部門 情報センシング1)
- 酸化亜鉛薄膜トランジスタのサブギャップ準位と電気特性・信頼性への影響
- 5-7 128x96画素RGB積層有機撮像デバイスの試作(第5部門 情報センシング)
- 14-12 有機撮像デバイスの高解像度化,高効率化に向けた作製プロセスの基礎検討(第14部門情報センシング)
- ミストCVD法によるAlOx薄膜作製に対するO3支援の効果
- 11-6 有機撮像デバイス用信号読み出し回路の低温形成技術(第11部門 情報センシング,マルチメディアストレージ,情報ディスプレイ)
- 15-1 有機撮像デバイスの高解像度化に向けた直接積層構造の開発(第15部門情報センシング1)
- 非真空プロセス「ミストCVD法」でのIGZO/AlO_x酸化物TFTの作製とその特性