松田 時宜 | 高知工科大学 ナノデバイス研究所

スポンサーリンク

概要

• 松田 時宜の詳細を見る
• 同名の論文著者
• 高知工科大学 ナノデバイス研究所の論文著者

関連著者

• 松田 時宜

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 古田 守

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 平松 孝浩

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 古田 守

  高知工科大学ナノデバイス研究所

• 平尾 孝

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 古田 守

  高知工科大学

• 松田 時宜

  高知工科大学

• 平尾 孝

  高知工科大

• 古田 寛

  高知工科大学

• 平尾 孝

  高知工科大学総合研究所

• Furuta H

  Graduate School Of Science Osaka University

• Furuta Hiroshi

  Department Of Earth And Space Science Osaka University

• Furuta H

  Research Institute For Nanodevices Kochi University Of Technology

• 古田 寛

  大阪大学・理学部

• Furuta Hiroshi

  Research Institute, Kochi University of Technology, Kami, Kochi 782-8502, Japan

• 難波 正和

  NHK放送技術研究所

• 久保田 節

  NHK放送技術研究所

• 江上 典文

  NHK放送技術研究所

• 渡部 俊久

  NHK放送技術研究所

• 瀬尾 北斗

  NHK放送技術研究所

• 相原 聡

  NHK放送技術研究所

• 大竹 浩

  NHK放送技術研究所

• 江上 典文

  Nhk放送技術研究所撮像デバイス

• 久保田 節

  Nhk 放送技研

• 瀬尾 北斗

  NHK技研

• 渡部 俊久

  Nhk放送技術研究所:静岡大学創造科学技術大学院

• 江上 典文

  NHK放送技術研究所撮像・記録デバイス研究部

• 瀬尾 北斗

  日本放送協会放送技術研究所撮像・記録デバイス

• 李 朝陽

  高知工科大

• 川原村 敏幸

  高知工科大学

• 李 朝陽

  高知工科大学ナノデバイス研究所

• 川原村 敏幸

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 相原 聡

  Nhk技研

• 江上 典文

  近畿大学

• 新田 浩士

  高知工科大学 ナノデバイス研究所

• 平松 孝浩

  高知カシオ株式会社

• OHTAKE Hiroshi

  NHK Science & Technical Research Laboratories

• 平尾 孝

  高知工科大 ナノデバイス研

• 藤田 静雄

  京都大学大学院

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子工学専攻

• 古田 寛

  高知工科大学ナノデバイス研究所

• 鎌田 雄大

  京都大学大学院工学研究科

もっと見る 閉じる

著作論文

• 有機光導電膜とZnO TFT回路の積層構造を用いた有機撮像デバイスの原理実証実験
• 酸化亜鉛(ZnO)トランジスタの開発とその次世代デバイスへの応用
• 基板バイアスにより制御されたZnO薄膜の結晶性とドライエッチングにより形成される側壁形状との相関
• 非耐熱性基板用低温絶縁膜技術の開発 (特集 産学官協力の場--高知工科大学)
• ZnO-TFTの開発と液晶ディスプレイへの応用 (特集 産学官協力の場--高知工科大学)
• 酸化亜鉛TFTを信号読出し回路に用いた有機膜積層型撮像デバイス(高機能イメージセンサとその応用)
• 次世代ディスプレイに向けた酸化亜鉛薄膜トランジスタ技術
• ZnO材料に関するこれまでの研究・応用例 (特集 産学官協力の場--高知工科大学)
• 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 (電子ディスプレイ)
• 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成 (情報ディスプレイ)
• 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム (信頼性)
• 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用(発光型/非発光型ディスプレイ合同研究会)
• カーボンナノチューブパターン化エミッタと電子放出デバイス応用
• 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成
• 低温形成表示デバイス向け絶縁膜の新規対向電極CVD法による形成(発光型/非発光型ディスプレイ,テーマ:ディスプレイに関する技術全般:LCD(バックライトを含む),PDP,有機/無機EL,CRT,FED,VFD,LEDなどのディスプレイに関するデバイス,部品,材料及び応用技術)
• 酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
• 11-13 信号読出し回路に酸化亜鉛TFTを用いた有機膜積層型撮像デバイス(第11部門 情報センシング1)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク