酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)のバイアスストレス劣化メカニズム(LSIを含む電子デバイスの評価・解析・診断,及び信頼性一般)
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概要
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異なる条件で製膜したゲート絶縁膜を有する酸化亜鉛薄膜トランジスタ(ZnO TFT)を用い,ゲート絶縁膜の膜質がTFTの初期特性およびバイアスストレス(BT)信頼性に与える影響を検討した。ゲート絶縁膜(SiOx)製膜原料ガスであるSiH_4/N_2O/N_2ガス流量比を変化させたゲート絶縁膜を用いたZnO TFTのBTストレス耐性はゲート絶縁膜によって大きく異なり,これはゲート絶縁膜中の電子トラップサイトがZnO TFTのBT信頼性に大きく影響していることを示している。
- 2011-05-06
著者
-
平松 孝浩
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
松田 時宜
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
古田 守
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
平尾 孝
高知工科大学 ナノデバイス研究所
-
平尾 孝
高知工科大学総合研究所
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
古田 守
高知工科大学
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
松田 時宜
高知工科大学
-
平尾 孝
高知工科大
-
鎌田 雄大
京都大学大学院工学研究科
-
古田 守
高知工科大学ナノデバイス研究所
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