GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
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概要
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GaAs(001)基板上に10-20nmのAlAsバッファ層を介してGaNの有機金属気相成長を行うと、成長層は六方晶構造をとり、基板面と平行にGaN(0001)//GaAs(001)、垂直にh-GaN(1^^-21^^-0)//GaAs(110)、h-GaN(101^^0)//GaAs(1^^10)というエピ関係を持つことがわかった。基板傾斜により結晶性の向上が見られ、(100)面に対して約20°の傾斜を持つ(114)基板上に成長した場合に、X線ωスキャン測定における半値幅が55minと、(001)just基板上の場合の約14%にまで小さくなった。得られたh-GaN/GaAs構造を、AuGeを融着層としてSi基板と融着し、300℃以下で電気的な障壁がほとんどない界面を持つh-GaN/Siが得られた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-10-12
著者
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
-
Fujita S
Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University
-
藤田 静雄
京都大学大学院
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
山本 秀一郎
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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