船戸 充 | 京都大学大学院工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 京都大学大学院工学研究科の論文著者

関連著者

• 船戸 充

  京都大学大学院工学研究科

• 川上 養一

  京都大学大学院工学研究科

• 船戸 充

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

• 川上 養一

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

• 金田 昭男

  京都大学大学院工学研究科

• 橋谷 享

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科電子工学

• 藤田 静雄

  京都大学大学院

• 船戸 充

  京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• Fujita Shigetaka

  Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te

• 藤田 茂夫

  京都大学大学院工学研究科

• Fujita Shiz

  Kyoto Univ. Kyoto Jpn

• 藤田 静雄

  京都大学国際融合創造センター

• 藤田 静雄

  京大 国際融合創造セ

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属

• Fujita Shigetaka

  Department Of Electrical Engineering Hachinohe Institute Of Technology

• 向井 孝志

  日亜化学工業

• 長濱 慎一

  日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所

• Fujita S

  Department Of Electronic Science And Engineering Kyoto University

• 小島 一信

  京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻

• シュワルツ ウルリヒ・T

  Department of Physics, Regensburg University

• ブラウン ハラルド

  Department of Physics, Regensburg University

• ブラウン ハラルド

  Department Of Physics Regensburg University

• シュワルツ ウルリヒ・t

  Department Of Physics Regensburg University

• 小島 一信

  京都大学 工学研究科電子工学専攻

• Banal Ryan

  京都大学大学院工学研究科

• 大音 隆男

  京都大学大学院工学研究科

• 片岡 研

  ウシオ電機 固体光源開発室

• 長濱 慎一

  日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部

• 片岡 研

  ウシオ電機固体光源開発室

• 向井 孝志

  日亜化学工業 窒化物半導体研

• 長濱 慎一

  日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部

• 山本 秀一郎

  京都大学大学院工学研究科 電子物性工学専攻

• 小川 雅弘

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学

• 石堂 輝樹

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学

• 尾形 健一

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 計良 尚志

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 川口 大介

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 川口 大介

  長崎大学

• 佐々木 克孝

  北見工業大学

• 船戸 充

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

• 藤田 静雄

  京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻

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著作論文

• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 光MOVPE成長ZnSeの熱処理効果と評価
• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
• GaAs(001)基板上六方晶GaNのMOVPE成長とウェハ融着によるGaN/Si構造作製への応用
• MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
• MOVPE成長した立方晶GaNへの六方晶成分の混入
• 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明

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