金田 昭男 | 京都大学大学院工学研究科
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概要
関連著者
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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菊池 昭彦
上智大理工:crest-jst:上智ナノテク研
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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菊池 昭彦
上智大学理工学部
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科:crest 独立行政法人科学技術振興機構
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金井 聡庸
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
岸野 克己
上智大学理工学部電気電子工学科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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バナル ライアン
京都大学工学研究科
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石井 良太
京都大学工学研究科
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菊池 昭彦
上智大学理工:上智ナノテク
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丸月 義一
日亜化学工業株式会社
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社半導体デバイス研究センター
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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油利 正昭
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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石田 昌宏
松下電器産業(株)半導体社 事業本部 半導体デバイス研究センター
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佐々木 昭夫
大阪電気通信大
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西塚 幸司
大阪電気通信大学大学院工学研究科総合電子工学
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佐々木 昭夫
大阪電気通信大学エレクトロニクス基礎研究所
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油利 正昭
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
-
石田 昌宏
松下電器産業(株) 半導体社 半導体デバイス研究センター
著作論文
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- InGaN単一量子井戸における双ピーク発光の成長温度依存性(レーザ・量子エレクトロニクス)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 単一InGaN/GaNナノコラムの顕微分光(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 近接場分光法による3族窒化物半導体の発光ダイナミクスの観測 (近接場光学技術特集)
- 近接場分光によってInGaNナノ構造の発光機構に迫る (特集 近接場光とナノデバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)