川上 養一 | 京都大学 工学研究科電子工学専攻
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学大学院工学研究科
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
金田 昭男
京都大学工学研究科
-
川上 養一
京都大学工学研究科
-
上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
Banal Ryan
京都大学大学院工学研究科
-
大音 隆男
京都大学大学院工学研究科
-
片岡 研
ウシオ電機 固体光源開発室
-
片岡 研
ウシオ電機固体光源開発室
-
川上 養一
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
-
バナル ライアン
京都大学工学研究科
-
石井 良太
京都大学工学研究科
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
-
岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業
-
中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
-
中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
-
藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
-
藤田 静雄
京都大学 国際融合創造センター
-
Bardoux Richard
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
-
須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
-
山口 栄雄
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
須田 淳
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
成川 幸男
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
藤田 茂夫
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
-
藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
-
山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
-
Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
著作論文
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- プラズモニクスを利用したLEDの高速・高効率化(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- 半極性 (1122) 面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性
- 伝搬型および局在型表面プラズモンを利用した高効率発光・受光素子(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性面上InGaN系緑色LDの可能性 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- 蛍光体フリー白色・多色LED (特集 発光デバイスの現状と将来(Part 2)無機発光デバイス)
- 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発 (次世代照明研究の最前線)
- 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発
- 蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)