船戸 充 | 京都大学 工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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船戸 充
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科
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川上 養一
京都大学工学研究科
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橋谷 享
京都大学大学院工学研究科
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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Banal Ryan
京都大学大学院工学研究科
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大音 隆男
京都大学大学院工学研究科
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片岡 研
ウシオ電機 固体光源開発室
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片岡 研
ウシオ電機固体光源開発室
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バナル ライアン
京都大学工学研究科
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石井 良太
京都大学工学研究科
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林 啓太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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船戸 充
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
著作論文
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN量子構造の欠陥と光学特性の相関の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 半極性 (1122) 面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (電子部品・材料)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (電子デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性面上InGaN系緑色LDの可能性 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)
- 蛍光体フリー白色・多色LED (特集 発光デバイスの現状と将来(Part 2)無機発光デバイス)
- 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発 (次世代照明研究の最前線)
- 蛍光体フリー白色・多色発光ダイオードの開発
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによる Efficiency droop 機構の解明
- 蛍光体フリー多色LED : テイラーメイド光源の実現に向けて (特集 LEDと照明)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
- 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般)
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