小島 一信 | 京都大学 工学研究科電子工学専攻
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概要
関連著者
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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小島 一信
京都大学大学院 工学研究科 電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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成川 幸男
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小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金沢工業大学ものづくり研究所
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日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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Department of Physics, Regensburg University
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ブラウン ハラルド
Department of Physics, Regensburg University
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Department Of Physics Regensburg University
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シュワルツ ウルリヒ・t
Department Of Physics Regensburg University
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山口 敦史
金沢工業大学 ものづくり研究所
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部
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長濱 慎一
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
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川上 養一
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
著作論文
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 470及び400nm帯InGaN量子井戸半導体レーザの利得特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 半極性 (1122) 面上InGaN量子井戸の光学特性と緑色レーザー実現の可能性
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 (電子部品・材料)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 (電子デバイス)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)