成川 幸男 | 日亜化学工業
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概要
関連著者
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成川 幸男
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業
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向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
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川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
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川上 養一
京都大学工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科電子工学
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船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
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中村 修二
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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中村 修二
カリフォルニア大学サンタバーバラ校材料物性工学部
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川上 養一
京都大学大学院工学研究科
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藤田 茂夫
京都大学大学院工学研究科
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成川 幸男
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻所属
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Fujita Shigetaka
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering Hachinohe Institute Of Te
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中村 修二
日亜化学工業(株)開発部
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藤田 静雄
京大 国際融合創造セ
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上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
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上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京都大学大学院工学研究科
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藤田 静雄
京都大学国際融合創造センター
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藤田 静雄
京都大学大学院
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小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学大学院工学研究科
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小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
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林 啓太
京都大学工学研究科電子工学専攻
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金田 昭男
京都大学工学研究科電子工学専攻
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近藤 剛
京都大学工学研究科電子工学専攻
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西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
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畑田 芳隆
京都大学工学研究科電子工学専攻
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澤田 憲
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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向井 孝志
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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金田 昭男
京都大学工学研究科
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坂本 貴彦
日亜化学工業
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藤田 茂夫
京都大学工学部
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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船戸 充
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻:科学技術振興機構さきがけ
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岡本 晃一
京都大学大学院工学研究科電子工学専攻
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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丸月 義一
日亜化学工業株式会社
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成川 幸男
京都大学工学研究科電子物性工学
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泉 知明
京都大学大学院工学研究科電子物性工学
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岡本 晃一
京都大学Venture Business Laboratory
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山口 栄雄
神奈川大工:神奈川大hrc
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山田 孝夫
日亜化学工業
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長浜 慎一
日亜化学工業 窒化物半導体研
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長濱 慎一
日亜化学工業(株)第二部門ld技術本部ld開発部
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長濱 慎一
日亜化学工業(株) 第二部門 開発本部 第三開発部
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田中 悟
北海道大学 電子科学研究所
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青柳 克信
理研
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Fujita Shiz
Kyoto Univ. Kyoto Jpn
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佐野 雅彦
徳島大学 高度情報化基盤センター
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田中 悟
理研半導体工学研究室
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RAMVALL Peter
理研
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RIBLET Philippe
理研
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野村 晋太郎
理研
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田中 悟
理化学研究所半導体工学研究室
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Ramvall P.
理研
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Riblet P.
理研
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成川 幸男
京大工
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川上 養一
京大工
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藤田 静雄
京大工
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藤田 茂夫
京大工
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川上 養一
京都大学・工学研究科・電子工学専攻
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小崎 徳也
日亜化学工業
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藤田 静雄
京都大学工学部電気工学教室
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小崎 徳也
日亜化学工業(株)ld開発部
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佐野 雅彦
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
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川上 養一
京都大学 工学研究科電子工学専攻
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藤田 静雄
京都大学 国際融合創造センター
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大前 邦途
京都大学工学研究科電子物性工学
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成川 幸男
京都大学・工学研究所
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藤田 茂夫
京都大学・工学研究所
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中村 修二
日亜科学工業・開発部
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澤田 憲
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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西條 慎
京都大学工学研究科電子物性工学専攻
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山口 栄雄
京都大学大学院工学研究科電子物性工学専攻
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山口 栄雄
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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須田 淳
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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成川 幸男
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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藤田 茂夫
京都大学 大学院工学研究科 電子物性工学専攻
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佐野 雅彦
徳島大学総合情報処理センター
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佐野 雅彦
日亜化学工業
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玉置 寛人
日亜化学工業株式会社
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成川 幸男
(株)日亜化学工業株式会社 窒化物半導体研究所
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成田 准也
(株)日亜化学工業株式会社 LED事業本部
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坂本 貴彦
(株)日亜化学工業株式会社 LED事業本部
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出口 宏一郎
(株)日亜化学工業株式会社 LED事業本部
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山田 孝夫
(株)日亜化学工業株式会社 LED事業本部
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向井 孝志
(株)日亜化学工業株式会社 窒化物半導体研究所
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玉置 寛人
日亜化学工業(株)第二部門 第二技術本部 第四技術部
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藤田 静雄
京都大学工学研究科 光・電子理工学教育研究センター
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川上 養一
京都大学 工学研究科 電子工学専攻
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玉置 寛人
日亜化学工業
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須田 淳
京都大学大学院工学研究科
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三崎 貴生
日亜化学工業
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藤岡 陽
日亜化学工業
-
村山 隆史
日亜化学工業
-
三賀 大輔
日亜化学工業
著作論文
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- 5a-E-2 GaN量子ドットの多励起子効果
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- マルチファセットを利用したInGaN/GaN波長可変発光ダイオード(窒化物半導体光・電子デバイス・材料,及び関連技術,及び一般)
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- CS-4-5 高効率白色LED(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 集束イオンビームによる窒化物半導体の微細加工と分布ブラッグ反射鏡の試作(化合物混晶半導体デバイス・材料(含むSiGe,ワイドギャップ半導体),一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 時間分解近接場分光によるInGaN単一量子井戸の発光ダイナミクス(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- 青色発光GaNの微細構造と発光特性--なぜよく光るか?もっと光らせるには (日本電子顕微鏡学会第43回シンポジウム論文集--21世紀へ向けての新技術の展開--平成10年10月28日(水)〜30日(金),千葉大学けやき会館〔含 著者名索引〕) -- (新デバイス材料開発技術の最前線)
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- GaN系LD/LEDの開発動向と現状
- GaN系発光素子を用いた高輝度白色光源の開発
- AlGaN MQWを用いた高出力280nm深紫外LED