InGaN/GaN三次元量子構造からの多色発光(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))
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概要
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結晶再成長法を用いて形成したGaNマイクロファセット上にInGaN/GaN量子構造を作製した.ファセットの結晶面によって, 結晶成長の特性としてInGaN組成や膜厚が変わり, さらにピエゾ分極の大きさが変化するため, 量子準位がファセットによって異なることがわかった.これらの特性を利用して(0001), および{11-22}ファセット上でおのおの黄色と青色に相当するエネルギー準位を形成し, 全体として白色発光を得ることに成功した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-10-07
著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
近藤 剛
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
小谷 晃央
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
西塚 幸司
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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