20aYN-2 InGaN/GaN量子井戸構造中のIn組成揺らぎとキャリアのダイナミクス(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))

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概要

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• 社団法人日本物理学会の論文
• 2005-08-19

著者

• 山本 直紀

  東工大院理工

• 向井 孝志

  日亜化学工業

• 山本 直紀

  東工大院理工:jst-crest

• 秩父 重英

  筑波大物理工

• 宮岡 豊

  東京工業大学理工学研究科

• 向井 孝志

  日亜化学

• 宮岡 豊

  東工大院総合理工

• 秩父 重英

  東北大多元研

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