29pXD-5 InGaN/GaN量子井戸構造の局所発光とキャリアダイナミクス(29pXD 格子欠陥・ナノ構造(転位・面欠陥・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
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概要
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- 社団法人日本物理学会の論文
- 2006-03-04
著者
-
山本 直紀
東工大院理工
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
山本 直紀
東工大院理工:jst-crest
-
秩父 重英
筑波大物理工
-
宮岡 豊
東京工業大学理工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学
-
宮岡 豊
東工大院総合理工
-
秩父 重英
東北大多元研
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