半極性{11-22}GaN基板上へのInGaN/GaN量子井戸構造の作製と光学特性評価
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概要
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- 2006-09-28
著者
-
船戸 充
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
川上 養一
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
成川 幸男
日亜化学工業
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
小島 一信
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
上田 雅也
京都大学 工学研究科電子工学専攻
-
小島 一信
京都大学工学研究科電子工学専攻
-
船戸 充
京都大学工学研究科
-
向井 孝志
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
川上 養一
京都大学工学研究科
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