GaN系近紫外発光素子(<小特集>紫外発光材料の現状と将来)
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概要
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In recent years, nitride materials which can emit red to ultraviolet light have attracted much attention from the viewpoint of wide-gap semiconductors. In this review article, we briefly present (a) low-dislocation density substrate, (b) hi-power 400 nm InGaN-LDs, (c) blue InGaN-LDs, (d) near-ultraviolet LDs, and then near-ultraviolet InGaN-LEDs.
- 日本結晶成長学会の論文
- 2002-09-20
著者
-
向井 孝志
日亜化学工業
-
佐野 雅彦
徳島大学 高度情報化基盤センター
-
柳本 友弥
日亜化学工業
-
長浜 慎一
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
-
佐野 雅彦
日亜化学工業(株)窒化物半導体研究所
-
向井 孝志
日亜化学工業(株)第二部門開発本部 窒化物半導体研究所
-
佐野 雅彦
徳島大学総合情報処理センター
-
佐野 雅彦
日亜化学工業
-
長浜 慎一
日亜化学工業 窒化物半導体研
-
長浜 慎一
日亜化学工業
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