InGaN量子井戸構造の貫通転位と発光機構との関係(特別セッションテーマ: GaN系LEDの内部量子効率を決めているものは?, 窒化物半導体光・電子デバイス・材料, 及び関連技術, 及び一般(窒化物半導体国際ワークショップ))

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概要

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InGaN量子井戸構造における、貫通転位と発光機構との関係を明らかにするために、本研究では、ELO-GaN上InGaN単一量子井戸構造において、原子間力顕微鏡による表面観察と近接場光学顕微鏡による発光マッピング測定を同一領域にて行った。その結果、紫色発光InGaN量子井戸では、貫通転位と発光マッピング像におけるダークスポットとがほぼ1対1対応していることが分かった。その一方で、青色発光InGaN量子井戸では、貫通転位と発光像のダークスポットとの間に相関性が見られないことが分かった。これは、紫色発光InGaNでは、量子井戸面内のポテンシャル揺らぎが小さく、キャリアが拡散しやすいため、転位につかまりやすいが、青色発光InGaNでは、ポテンシャル揺らぎが大きく、キャリアの拡散長が見かけ上短くなるため、転位につかまる確率が減少することが原因と考えられる。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-10-07

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