InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構

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概要

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In_<0.20>Ga_<0.80>N (3nm)/In_<0.05>Ga_<0.95>N (6nm) (試料(a)) とIn_<0.10>Ga_<0.90>N (3nm)/In_<0.02>Ga_<0.98>N (6nm) (試料(b)) 多重量子井戸からなるレーザダイオード構造の自然および誘導放出機構を20Kにおいて時間分解フォトルミネセンス (TRPL) 測定により評価した。その結果、In組成の大きな試料 (a) は励起子 (キャリア) の局在が大きく量子ドット的な0次元閉じ込めが働いていることが、一方In組成の小さな試料 (b) は量子井戸のポテンシャル揺らぎが小さく、励起子 (キャリア) の局在は緩やかであることが明らかとなった。さらに、それらの局在中心が誘導放出過程に関与しており、試料 (a) では量子ドットの高次の準位が、試料 (b) では裾準位が反転分布を形成している可能性を示した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1998-01-22

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