27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1998-09-05
著者
-
中村 修二
日亜化学工業
-
鈴木 克生
早大理工
-
宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
-
八木 駿郎
北大電子研
-
山口 雅史
北大工
-
宗田 孝之
早大理工
-
出口 隆弘
早大理工
-
島田 和宏
早大理工
-
秩父 重英
東理大理工&UCSB
-
Yagi T
Hokkaido Univ. Sapporo
-
中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
関連論文
- GaN青色LED, LD実現への歩み : 米国からのメッセージとともに
- 31a-ZS-10 InGaNSQw青及び緑色LEDのC-V特性(III) : Poole-Frenkel効果
- 31a-ZS-9 InGaNSQW青及び緑色LEDのC-V特性(II) : 定量的解析
- 窒化物系青, 緑色LEDと青紫色半導体レーザの進展 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- 31p-K-2 InGaN SQW緑色LEDの高電流注入効果
- 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
- 2-4 LEDフルカラーディスプレイ( ディスプレイ技術の最近の進歩)
- 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
- 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
- 28pYF-7 ZnO における四光波混合
- 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
- 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
- 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
- 7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学
- 29a-N-4 酸化物高温超伝導体の参照物質YBa_2Cu_3O_6の格子力学
- BN、AIN、GaNの弾性定数
- 31a-R-3 酸化物高温超伝導体の格子振動 : 酸素同位体効果
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-17 テニオライトに包接されたローダミン6Gの配向 : 赤外分光法
- 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-6 GaPの格子力学 : 2フォノン状態密度
- 27p-PSB-5 AINの格子力学
- 27p-PSB-4 酸化物高温超伝導体の格子振動 : シェルモデル
- 27p-PSB-3 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態V
- 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
- 29p-PSB-10 GaNの格子力学
- 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
- 4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学
- 4p-PSB-9 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノン : ラマン散乱
- 28p-PSA-10 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態IV
- 29p-PSB-6 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における1.2μm厚AlAs層からの2次ラマン散乱
- 29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)
- 29p-PSB-4 酸化物超伝導体 YBa_2Cu_3O_7 のフォノン分散
- 13p-PSB-5 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノンの観測 : ラマン散乱
- 13p-PSB-4 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : 遠赤外吸収
- 28p-APS-43 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態III
- 時間分解分光によるInGaN量子井戸構造の発光ダイナミクス
- 30a-PS-13 La_2CuO_4のフォノン分散
- 4p-PS-5 Ge:Sb系における音速変化
- 29p-ZQ-12 AlGaN混晶における軟X線吸収の入射角依存性
- 29p-ZQ-11 III-V 族窒化物半導体における軟X線吸収の入射角依存性
- 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
- 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
- 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
- InGaN系半導体デバイスの発光機構(半導体エレクトロニクス)
- InGaNレーザダイオード構造における光ゲイン生成ダイナミクス
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 顕微-時間分解分光法によるELO-GaNの輻射・非輻射再結合過程の評価
- 25pK-6 InGaN中の低次元ナノ構造からの発光
- InGaN量子井戸発光デバイスのふく射再結合機構 (ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸発光デバイスにおける自然および誘導放出機構
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- InGaN量子井戸構造の強励起下における発光ダイナミクス
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- III-V窒化物系とII-VI族系量子井戸の励起子光物性
- 紫色InGaN系レーザーのダイオードの進展
- 青色発光デバイス開発における創造性 (私の研究生活事始め)
- 25a-T-9 GaN中のMg-H複合欠陥の分解に対する電子励起効果
- INTERVIEW:夢の成就 -青色LED,LDの開発-
- 青色発光デバイス研究開発における創造性
- 植物工場用青色LED, LDの現状と将来
- 青色レーザー開発からの教訓
- InGaN SQW 青色 LED の再結合発光におけるホットエレクトロン効果
- 6a-E-10 窒化物系半導体による青色発光ダイオードとレーザーの開発
- 6a-E-9 InGaN多重量子井戸のゲイン特性
- GaN系室温CWレーザーダイオード
- 室温CW青紫色InGaN系レーザーダイオード
- 28p-S-1 InGaNエピタキシャル薄膜の時間分解発光分光 : 高効率青色発光の起源
- 青色発光ダイオードとレーザ : その発展とインパクト
- 青色レーザーの現状
- InGaN系青紫色半導体レーザー
- InGaN系青紫色半導体レーザー
- InGaN/GaN/AlGaN系紫色半導体レーザーの現状と展望
- InGaN 青色 LED の連続発光およびパルス発光特性
- GaN系高輝度LEDとレ-ザ-への展開 (緑青色レ-ザ-)
- 室温パルス発振青紫色窒化物半導体レーザ
- InGaN青色LEDの発光機構
- GaN系発光素子の現状と将来
- InGaN系III-V族LEDの進展と半導体レーザー
- 青色発光ダイオードの開発
- 有機金属気相成長法
- 白色および紫外LED
- 青色LEDとレーザーの開発
- 日亜化学の青色デバイス開発物語
- GaN系LEDの現状と将来
- 青色発光ダイオ-ド開発物語
- 正念場迎える「青色デバイス開発」 (特集:20世紀最後の5年間のキ-テクノロジ-(2)ニュ-マルチメディアの動向と技術開発の方向)
- 高輝度青色発光ダイオ-ド
- GaN系高輝度青色LED
- 30p-YC-2 高輝度InGaN青色発光ダイオードの開発と水素の役割
- InGaN青色LEDとレーザーへの可能性
- 青色半導体レ-ザはどこまで可能か?--短波長LEDからLDへの挑戦 (90年代後半のエレクトロニクス・ニュ-ウェ-ブ--20世紀最後の5年間,何のテ-マに注目したらよいか?)
- InGaN/AlGaN発光ダイオ-ドの現状と性能向上
- 高輝度青色LED結晶の育成 : 招待講演
- フルカラ-表示ディスプレイ等に画期的インパクト--青色LEDも1cd(カンデラ)時代--100倍の高輝度をどう達成したか?青緑なら2cdも達成 (マルチメディア時代のキ-デバイス--青色デバイス革命) -- (青色LED編)
- InGaN 青色発光ダイオード ( 光応用技術 2.)