鈴木 克生 | 早大理工
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概要
関連著者
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鈴木 克生
早大理工
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宗田 孝之
早大理工
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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小豆畑 敬
早大理工
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宗田 孝之
早大 理工
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鈴木 克生
早大 理工
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秩父 重英
筑波大物理工
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羽豆 耕治
早大理工
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足立 智
北大工
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真野 匡司
早大理工
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小豆畑 敬
早大 理工
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秩父 重英
筑波大物工
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足立 智
京大理
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鈴木 克生
早大
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羽豆 耕治
東北大学多元物質科学研究所
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真野 匡司
早大 理工
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足立 智
京都大学:日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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向井 孝志
日亜化学工業
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中村 修二
日亜化学工業
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井原 茂男
早大理工
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桜井 宏巳
早大理工
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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島田 和宏
早大理工
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秩父 重英
東理大理工&UCSB
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御子柴 宣夫
電総研
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石黒 武彦
電総研
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平田 彰
早大 理工
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橘 正人
早稲田大学理工学部
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麻埜 和則
早大理工
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荻原 比呂志
早大理工
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木村 俊二
早大 理工
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渡辺 博忠
早大理工
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八木 駿郎
北大電子研
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山口 雅史
北大工
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出口 隆弘
早大理工
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石上 淳也
早大理工電気
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八木 裕輔
早大理工
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小澤 宏之
早大理工
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平田 彰
早大理工
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石黒 武彦
電試
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御子柴 宣夫
電試
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高田 拓也
早大 理工
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橘 正人
早大理工
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向井 孝志
日亜化学
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宮里 達郎
阪大産研
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木村 俊二
早大理工
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大島 直人
早大理工
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宗田 孝之
静大工短
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小山 泰正
早大理工
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無機材質研
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高木 康成
電通大・電子物性
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山口 雅史
北大電子研
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高木 康成
電通大電子物性
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エヘティ ムフタル
電通大・電子物性
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電総研
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鳥井 康介
早大理工
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渡辺 宗久
早大理工
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宗田 孝之
早大理工電気
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鈴木 克生
早大理工電気
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藤田 武敏
無機材質研究所
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小豆畑 敬
早大・理工
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宗田 孝之
早大・理工
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鈴木 克生
早大・理工
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北川 亮
早大理工
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松永 知道
早大理工
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平塚 正人
早大理工
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川戸 良昭
早大理工
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杉田 一郎
早大理工
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河野 通久
早大理工
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Yagi T
Hokkaido Univ. Sapporo
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松田 重人
早大理工
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井伊 伸夫
物材機構
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桜井 宏己
早大理工
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中村 健一
早大理工
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エヘティ ムフタル
電通大、電子物性
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橘 正人
早大 理工
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高田 拓也
早大理工
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早大理工
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阪大産研
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梅林 拓
早大理工
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吉田 孝一
早大理工
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山中 英生
早大理工
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独立行政法人物質・材料研究機構
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Fortier D.
Cen Saclay
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長谷川 進
早大 理工
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陳 少韋
早大理工
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渡邉 毅
早大理工
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吉田 耕作
早大理工
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新間 善範
Waseda University
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宗田 孝之
Waseda University
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鈴木 克生
Waseda University
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八幡 正敏
早大理工
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中谷 昌弘
早大理工
著作論文
- 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
- 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
- 28pYF-7 ZnO における四光波混合
- 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
- 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- 7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学
- 29a-N-4 酸化物高温超伝導体の参照物質YBa_2Cu_3O_6の格子力学
- BN、AIN、GaNの弾性定数
- 31a-R-3 酸化物高温超伝導体の格子振動 : 酸素同位体効果
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-17 テニオライトに包接されたローダミン6Gの配向 : 赤外分光法
- 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-6 GaPの格子力学 : 2フォノン状態密度
- 27p-PSB-5 AINの格子力学
- 27p-PSB-4 酸化物高温超伝導体の格子振動 : シェルモデル
- 27p-PSB-3 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態V
- 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
- 29p-PSB-10 GaNの格子力学
- 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
- 4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学
- 4p-PSB-9 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノン : ラマン散乱
- 28p-PSA-10 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態IV
- 29p-PSB-6 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における1.2μm厚AlAs層からの2次ラマン散乱
- 29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)
- 29p-PSB-4 酸化物超伝導体 YBa_2Cu_3O_7 のフォノン分散
- 13p-PSB-5 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノンの観測 : ラマン散乱
- 13p-PSB-4 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : 遠赤外吸収
- 28p-APS-43 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態III
- 30a-PS-13 La_2CuO_4のフォノン分散
- 4p-PS-5 Ge:Sb系における音速変化
- 3a-H-11 p-Siにおける超音波吸収の磁場によるクエンチング
- 半導体における超音波スピン共鳴 : 音波物性シンポジウム
- 13a-K-11 Geにおける超音波・スピン共鳴
- 30a-PS-21 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱III
- 28a-BPS-9 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱II
- 25p-PS-18 LiNbO_3単結晶におけるラマン散乱
- 27a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性II
- 1a-PS-4 Ge:Sbにおける音速変化の磁場依存性
- 2a-R-8 Li_3Nの分子動力学
- 1a-M-1 拡散のモンテカルロシミュレーション
- 2p-TC-14 AgI_Cl_xの分子動力学
- 3p-KE-10 Ag_3SIの分子動力学
- 12a-S-10 銀カルコゲナイドの分子動力学
- 11a-PS-5 [100]磁場下に於ける、Ge:Pでのヒートパルス散乱
- 27a-T-5 高濃度Ge:Sbの超音波吸収における磁場効果
- 12a-H-4 半導体における電子・正孔によるフォノン散乱
- 30p-N-8 P-Siにおける超音波吸収
- 7p-B-6 p-Ge,p-Siでの超音波減衰・熱伝導・熱パルス伝播
- 30a-PS-15 GaAs/AlGaAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : II 遠赤外吸収
- 30a-PS-14 GaAs/AlGaAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン : I ラマン散乱
- 5p-PS-9 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性II
- 28a-BPS-4 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態II
- 30a-C-3 p-GaSbにおける超音波吸収 II
- 31p-PS-13 n型Geにおける吸収係数の一軸性圧力依存性
- 4a-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性II
- 27p-PS-155 酸化物超伝導体におけるフォノンスクイズド状態II
- 27p-PS-144 酸化物超伝導体の第一原理的格子力学
- Y系高温超伝導体の格子力学
- 31p-PS-18 酸化物超伝導体の格子力学
- 25p-PS-2 ZnSe中に埋め込まれたGaAs量子箱のフォノン状態
- 25p-PS-15 Ge:Asにおける音速変化の温度依存性
- 30a-C-1 Ge:Sbの超音波吸収における一軸性圧力効果
- 31p-RC-3 高濃度Ge:Sbの超音波吸収に及ぼす一軸性圧力の効果
- 31p-RC-1 P-GaSbにおける超音波吸収
- 27a-H-3 高濃度のSb-doped Geの超音波減衰
- 30a-PS-12 BaPb_Bi_xO_3,Ba_K_xBiO_3のX線散漫散乱パターン
- 11a-PS-4 縮退した半導体における熱伝導度
- 27p-PS-146 Bi_2Sr_2CaCu_2O_y薄膜における低温アニール効果
- 7aSG-4 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(2)(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 28a-PS-2 ドナーペアの音響的性質III(音波物性・音響ポスターセッション)
- 7aSG-5 GaNでの励起子・励起子分子ダイナミクス(励起子・ポラリトン・低次元物質,領域5)
- 24aYE-8 Pump and probe法で観測したGaNにおける励起子の非線形効果(24aYE 励起子・ポラトリン,領域5(光物性分野))
- 29p-PS-9 n型Geにおける吸収係数の磁場依存性(29pPS 音波物性・音響)
- 28a-PS-3 Ge:Sbにおける音速変化の一軸性圧力依存性(音波物性・音響ポスターセッション)
- 28a-PS-7 BaPb_BixO_3におけるフォノン分散(音波物性・音響ポスターセッション)