宗田 孝之 | 早稲田大学理工学術院
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概要
関連著者
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宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
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鈴木 克生
早大理工
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宗田 孝之
早大理工
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小豆畑 敬
早大理工
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羽豆 耕治
東北大学多元物質科学研究所
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秩父 重英
筑波大物工
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宗田 孝之
早稲田大学
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中村 修二
Jst-erato中村pj:ucsb
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羽豆 耕治
早大理工
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足立 智
京大理
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秩父 重英
筑波大物理工
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足立 智
北大工
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足立 智
京都大学:日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター
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中村 修二
日亜化学工業
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尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
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真野 匡司
早大理工
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小豆畑 敬
早大 理工
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宗田 孝之
早大 理工
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鈴木 克生
早大 理工
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島田 和宏
早大理工
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秩父 重英
東理大理工&UCSB
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真野 匡司
早大 理工
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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向井 孝志
日亜化学工業
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秩父 重英
東北大学多元物質科学研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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DENBAARS Steven
Electrical and Computer Engineering Department, University of California
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Denbaars Steven
Jst-erato中村pj:ucsb
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向井 孝志
日亜化学
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Denbaars Steven
Materials Department University Of California
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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會沢 勝夫
早稲田大学 理工学総合研究センター
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八木 駿郎
北大電子研
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奥村 元
産業技術総合研究所
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奥村 元
産総研
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山口 雅史
北大工
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秩父 重英
筑波大学物理工学系
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黒田 剛正
早稲田大学理工学部
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尾沼 猛儀
筑波大学物理工学系
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北村 寿朗
産業技術総合研究所パワーエレクトロニクス研究センター
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竹内 淳
早稲田大学理工学部
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DenBaars Steven
Department of Materials Engineering, University of California
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中村 修二
科学技術振興事業団中村不均一結晶プロジェクト
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出口 隆弘
早大理工
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石上 淳也
早大理工電気
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八木 裕輔
早大理工
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中村 厚
早稲田大学
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竹内 淳
早稲田大 理工
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奥村 元
産業技術総合研
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北村 寿朗
東理大
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Denbaars Steven
Department Of Electrical And Computer Engineering University Of California
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宗田 孝之
早稲田大学大学院
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DenBaars Steven
Department of Electrical and Computer Engineering and Materials Department, University of California, Santa Barbara, CA 93106, U.S.A.
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中村 修二
日亜化学工業(株)第二部門開発部
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佐藤 優太
早稲田大学TWIns
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會沢 勝夫
東京医科大学 第2生理学教室
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和田 一実
マサチューセッツ工科大
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和田 一実
マサチューセッツ工科大学材料理工学科
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永岡 隆
早稲田大学大学院理工学研究科
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井伊 伸夫
無機材質研
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清原 祥夫
静岡県立静岡がんセンター 皮膚科
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清原 祥夫
静岡県立静岡がんセンター 形成外科
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高木 康成
電通大・電子物性
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松本 隆
早稲田大学先進理工学学術院 電気・情報生命工学科
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山口 雅史
北大電子研
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高木 康成
電通大電子物性
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エヘティ ムフタル
電通大・電子物性
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池田 大勝
早大理工
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大島 進
早大理工
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秩父 重英
筑波大電子・物理工&21COE
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Haskell B.A.
JST-ERATO中村PJ
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Speck J.S.
JST-ERATO中村PJ
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DenBaars S.P.
JST-ERATO中村PJ
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中村 修二
JST-ERATO中村PJ
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奥田 英和
早大理工
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鈴木 鉄兵
早大理工
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秩父 重英
国立大学法人筑波大学 大学院数理物質科学研究科 電子・物理工学専攻
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鳥井 康介
早大理工
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鹿内 周
早大理工
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秩父 重英
カリフォルニア大学材料学科
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幸前 篤朗
NTT光エレクトロニクス研究所
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村下 達
NTTシステムエレクトロニクス研究所
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渡辺 宗久
早大理工
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宗田 孝之
早大理工電気
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鈴木 克生
早大理工電気
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藤田 武敏
無機材質研究所
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小豆畑 敬
早大・理工
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宗田 孝之
早大・理工
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鈴木 克生
早大・理工
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北川 亮
早大理工
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松永 知道
早大理工
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平塚 正人
早大理工
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小澤 宏之
早大理工
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永岡 隆
早稲田大学
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大坪 真也
早稲田大学
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會沢 勝夫
早稲田大学
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清原 祥夫
静岡県立静岡がんセンター
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Yagi T
Hokkaido Univ. Sapporo
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井伊 伸夫
物材機構
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Speck J.s.
Jst-erato中村pj:ucsb
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Haskell B.a.
Jst-erato中村pj:ucsb
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エヘティ ムフタル
電通大、電子物性
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會沢 勝夫
東京医科大・第二生理
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井伊 伸夫
独立行政法人物質・材料研究機構
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中村 厚
早稲田大学理工学術院
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永岡 隆
早稲田大学理工学術院
-
村松 大吾
大阪大学産業科学研究所
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松本 隆
早稲田大学理工学術院
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赤沢 史嗣
早稲田大学理工学術院
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佐藤 優太
早稲田大学理工学術院
著作論文
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 28aPS-18 c面およびa面GaNにおける励起子の緩和ダイナミクス(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
- 15aTA-5 ビリルビンおよびビリルビンカルシウムに関する第一原理計算(生物物理, 領域 12)
- II-VI族酸化物半導体ZnOにおける励起子領域の光学スペクトル : III-V族窒化物半導体GaNとの類似点と相違点
- 30aPS-24 2光子吸収制御によるZnO励起子分子生成(領域5ポスターセッション)(領域5)
- 28pXQ-3 ZnOにおけるC励起子領域での四光波混合シグナル(励起子ポラリトン・緩和励起子)(領域5)
- 20aWB-2 ZnO における四光波混合シグナルの温度依存性
- 28pYF-8 ZnO における価電子帯オーダリング
- 28pYF-7 ZnO における四光波混合
- 17pRE-7 GaNでの励起子間相互作用と励起子分子
- 17pRE-6 GaNにおける励起子の相互作用と位相緩和
- 29pYA-4 GaNにおける位相緩和ダイナミクス
- 27a-R-2 h-GaNのブリルアン散乱 II
- カソードルミネッセンス法による量子微細構造の評価
- 7a-YC-12 CuAlSe_2の格子力学
- 29a-N-4 酸化物高温超伝導体の参照物質YBa_2Cu_3O_6の格子力学
- BN、AIN、GaNの弾性定数
- 31a-R-3 酸化物高温超伝導体の格子振動 : 酸素同位体効果
- 31a-F-6 h-GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-17 テニオライトに包接されたローダミン6Gの配向 : 赤外分光法
- 27p-PSB-12 GaNのブリルアン散乱
- 27p-PSB-6 GaPの格子力学 : 2フォノン状態密度
- 27p-PSB-5 AINの格子力学
- 27p-PSB-4 酸化物高温超伝導体の格子振動 : シェルモデル
- 27p-PSB-3 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態V
- 29p-PSB-11 InGaN/GaN/Sapphireにおけるフォノンポラリトン
- 29p-PSB-10 GaNの格子力学
- 29p-PSB-9 GaNの光学フォノン
- 4p-PSB-10 CuAlS_2、CuAlSe_2の格子力学
- 4p-PSB-9 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノン : ラマン散乱
- 28p-PSA-10 酸化物高温超伝導体におけるフォノンスクイズド状態IV
- 29p-PSB-6 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における1.2μm厚AlAs層からの2次ラマン散乱
- 29p-PSB-5 GaAs/AlAs ダブルヘテロ構造における光学フォノン(ATR法による界面フォノンの観測)
- 29p-PSB-4 酸化物超伝導体 YBa_2Cu_3O_7 のフォノン分散
- 13p-PSB-5 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における閉じ込め光学フォノンの観測 : ラマン散乱
- 13p-PSB-4 GaAs/AlAsダブルヘテロ構造における光学フォノン : 遠赤外吸収
- 望遠鏡の革命を支える電気関連技術
- 光スペクトルからメラノーマ鑑別指標を導出する方法の検討
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 立方晶および六方晶InGaNの発光特性比較 : 分極効果の有無と励起子局在効果(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
- 平成13年度 春季講演会・シンポジウム報告
- AS-4-1 0.93nm波長解像度八イパースペクトラルDatacube生体認証(AS-4.マルチバイオメトリクス技術の研究動向,シンポジウムセッション)