AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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概要
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有機金属化学気相エピタキシー法によりc面サファイア基板上に成長された、転位密度の異なるAlN薄膜の励起子エネルギー領域における光学特性を報告する。転位密度の低減に伴って、Al空孔に関連した点欠陥複合体密度の低減と、面内圧縮歪(Δa/a,の増加が観測された。最も転位密度の低い試料(2×10^8cm^-2)はΔα/α≅-1.68%と大きな歪を受けており、低温のカソードルミネセンス(CL)スペクトルには4本の束縛励起子発光ピークが観測された。部分偏光反射およびCL測定から、基底および第一励起状態にあるA自由励起子の発光が同定され、水素原子様モデルを適用すると励起子束縛エネルギーは51meVと見積もられた。
- 2009-11-12
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
尾沼 猛儀
東北大学多元物質科学研究所
-
羽豆 耕治
東北大学多元物質科学研究所
-
宗田 孝之
早稲田大学理工学術院
-
秩父 重英
東北大学多元物質科学研究所
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
宗田 孝之
早稲田大学
-
秩父 重英
筑波大物工
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
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