3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1984-09-10

著者

• 小田 克郎

  東大生研

• 上殿 明良

  筑波大数理

• 上殿 明良

  筑波大学電子物理工学系

• 鈴木 良一

  筑波大学物質工学系

• 七尾 進

  東大生研

• 吉田 博行

  京大原子炉

• 上殿 明良

  筑波大物工

• 鈴木 良一

  筑波大物工

• 谷川 庄一郎

  筑波大物工

関連論文

• 20aHT-7 陽電子プローブマイクロアナライザーによる延伸鉄試料の欠陥評価(20aHT 領域10 格子欠陥・ナノ構造(水素,ナノ粒子,金属),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 19pRF-13 ZnFeSc準結晶及び近似結晶のメスバウアー分光(準結晶,領域6,金属,超低温,超伝導・密度波)
• 陽電子消滅による窒化物光半導体の点欠陥の評価(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 27aRE-7 陽電子プローブマイクロアナライザーを用いた高分子中の陽電子寿命測定(27aRE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 23pVE-10 陽電子プローブマイクロアナライザーによる欠陥分布の観察(23pVE 格子欠陥・ナノ構造(光物性・微粒子・水素・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 18aA07 AlGaN/GaN超格子挿入によるMOVPE成長立方晶GaN中の欠陥密度低減(立方晶GaN結晶成長を考える,ナノ・エピシンポジウム,第35回結晶成長国内会議)
• 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
• 研究紹介 陽電子による先端半導体材料の評価
• HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
• 27pYC-9 低速陽電子によるSi基板の炭化により導入された空孔型欠陥の研究
• 25pYP-4 As^+イオン注入によりSi基板中に導入された反跳酸素と空孔型欠陥の検出
• 23pYH-9 陽電子消滅を用いたダイヤモンドの格子欠陥の荷電状態の分析
• SiC/Si界面のボイド欠陥発生の陽電子消滅法による観察 : エピタキシャル成長IV
• 低速陽電子によるP注入SiCの欠陥検出と焼鈍特性の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
• 陽電子寿命 - ドップラー拡がり相関測定によるポジトロニウムと分子の反応の解析
• 対向型陽電子消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作
• イオン注入及び注入後熱処理した3C-SiC中の残留欠陥の研究 (特集:耐熱・耐放射線半導体素子材料技術)
• 陽電子消滅による高分子のガラス転移と緩和現象の検出
• 表面近傍での陽電子の基本的挙動とそれらを利用した材料評価
• 陽電子消滅による高分子材料の評価
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• III族窒化物半導体(Al,Ga)Nにおける発光特性と点欠陥の相関関係(窒化物半導体結晶中の欠陥)
• 28aXA-1 希上類アモルファス合金の希土類L吸収端における多電子励起磁気円二色性
• 22pXC-5 SmL_ L_吸収端における2p4f四重極遷移の発光MCD
• 22pM-5 Sm Lα_の発光MCD
• 27a-K-11 X線磁気回折によるhcp-CoのLS分離
• 29a-YG-9 Siのコンプトン・プロファイル
• 14a-Q-4 電着銅の陽電子消滅
• 12p-Q-10 β相合金の相変態と陽電子消滅
• 12p-Q-6 Cu-Siα相の陽電子消滅
• 237 陽電子寿命測定の鉄鋼の遅れ破壊研究への応用(遅れ破壊・応力腐食, 性質, 日本鉄鋼協会第 88 回(秋季)講演大会)
• 5a-KM-6 規則・不規則変態の陽電子消滅
• 5a-KM-5 f.c.c.金属の空孔形成エネルギーと陽電子消滅
• 5a-KM-4 Cu-Ge合金中の陽電子消滅と温度との関係
• 24a-L-14 AuCu_3の規則・不規則変態と陽電子消滅
• 24a-L-13 Niの格子欠陥と陽電子消滅
• 3a-G-3 陽電子消滅法による原子空孔の濃度
• 10a-R-5 Cu-Niの陽電子消滅の温度依存性
• 10a-R-4 陽電子消滅法によるCuおよびCu-Al合金のVacancy Formation Energyの測定
• 11a-U-9 陽電子消滅による銅稀薄合金中の点欠陥
• 26pYS-5 飛行時間法で測定した,固体表面からのポジトロニウム放出(X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
• 陽電子消滅によるSrTiO3およびBaTiO3の酸素欠陥の研究 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成14年度)
• 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
• 陽電子ビーム1.低速陽電子ビームの発生
• 陽電子消滅の計測と得られる情報 1.二次元角相関
• 30a-F-10 2DACARによる六方晶遷移金属のフェルミ面の研究
• 30a-F-7 陽電子消滅二次元角相関法によるCeB_6の三次元運動量分布の再構成
• 28a-B-3 単結晶グラファイトによる陽電子消滅2次元角相関測定 II
• 2p-UA-2 陽電子消滅2次元角相関法によるTiとZrのフェルミ面
• 2p-P-2 陽電子消滅二次元角相関によるTi,Ru,Reのフェルミ面
• 2a-C-5 Al,Cuの刃状転位近傍の2次元電子運動量分布
• 低速陽電子によるSiO_2膜の評価
• 自動温度可変消滅γ線ドップラー拡がり測定装置の製作と金属の熱平衡状態測定への応用
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• AlNエピタキシャル薄膜における励起子発光機構(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• 3a-C-12 陽電子寿命-運動量相関測定による非晶質合金中の空孔型欠陥の研究
• 低速陽電子ビームを用いたCu/low-k配線構造中の欠陥検出(配線・実装技術と関連材料技術)
• 1a-SG-14 BGO64検出器陽電子消滅角相関装置の製作
• 1a-SG-13 陽電子消滅の温度・スペクトル2次元相関測定法の開発とAl合金中の熱平衡欠陥
• 24pPSA-1 オゾンビームを用いたγ-Fe_2O_3のMBE成長とその構造(薄膜・人工格子,微小領域,遍歴磁性酸化物,f電子系,実験技術開発等,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 陽電子消滅による電子線照射石英ガラスの欠陥の検出
• 3a-C-11 非晶質合金の電子線照射効果
• 2a-KL-2 非晶質合金の電子線照射効果
• 13a-L-2 Fe_B_非晶質合金の電子線照射効果
• 28aPS-58 クラスターグラスの特性を持つLa(Mn_Ni_)O_の巨大磁気抵抗効果(領域8 ポスターセッション)(領域8)
• 28aWH-4 La(Mn, Ni)O_3 の巨大磁気抵抗効果と熱残留磁化の関係
• 21pPSB-50 放射光励起による内部転換電子放射の量子ビート観測(21pPSB 領域3ポスターセッション,領域3(磁性,磁気共鳴))
• 20aXF-6 Si(111)上における鉄シリサイド超薄膜成長のSTM観察とメスバウアー分光(結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 19aTH-4 全反射条件でのSi上の^Fe薄膜の核共鳴励起前方散乱/内部転換電子放射の測定
• 27a-ZN-3 陽電子消滅によるSiの酸素と電子線照射により導入された欠陥の相互作用の研究
• 1p-M-7 Pb希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験
• 1p-M-6 Al希薄合金の熱平衡陽電子消滅実験における高温域での異常
• 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
• 1p-M-4 低速陽電子法によるInPの表面欠陥の検出
• 2a-KL-9 陽電子消滅法によるInP単結晶の評価
• ポジトロン消滅と材料の解析
• 27pTN-4 低速陽電子ビーム大気取り出し法の研究(27pTN X線・粒子線(陽電子・電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 21aJA-12 低速陽電子ビームを用いた大気中試料の空孔分析法の開発(21aJA X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 陽電子消滅による高分子材料評価
• 24p-T-3 薄膜の欠陥評価への低速陽電子線の応用
• 表面・界面プローブとしての低速陽電子
• 単色陽電子線による半導体の表面・界面近傍の欠陥評価
• 3a-C4-6 MOS積層構造中の荷電粒子(陽電子)の挙動と界面欠陥
• 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
• 6a-A3-3 深さの関数としての陽電子消滅測定(I) : 半導体のイオン注入欠陥
• 単一エネルギ-低速陽電子を用いた表面解析装置
• 27a-Z-9 単色低速陽電子線を用いたSiのBイオン注入に伴う欠陥分布の測定
• 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
• 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
• 5p-E-4 低速陽電子法によるSiO_2/Si界面の照射効果
• 3a-C-13 非晶質金属における陽電子捕獲効果の温度依存性
• 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
• 11p-A-12 低速陽電子装置による表面、界面研究法の開発
• 24pCE-2 大気中湿度制御環境下における低速陽電子計測法の開発(24pCE X線・粒子線(陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))
• 29aXZB-7 インダクションバンチャーを用いた高効率陽電子ビームパルス化システムの開発(29aXZB 領域10,ビーム物理領域合同 X線・粒子線(電子線・陽電子),ビーム物理領域)
• 25pPSB-39 放射光低角入射条件での^Fe/Si(111)薄膜の核共鳴散乱X線測定(25pPSB 表面界面・結晶成長,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
• 26pYH-2 LaMnO_3のMnサイトをNi,Cuで置換した場合の巨大磁気抵抗効果の発現機構(26pYH Mn系(置換効果・新物質),領域8(強相関系分野-高温超伝導,強相関f電子系など))
• 28pAL-14 陽電子プローブ用静電加速システムの開発(28pAL X線・粒子線(電子線,陽電子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク