低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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陽電子消滅を用いて,ALD法により作成したHfSiO_x薄膜へのプラズマ窒素化の効果を評価した.陽電子はHfSiO_x薄膜のアモルファス構造に由来した空隙から消滅することがわかった.プラズマ窒化後,空孔サイズは減少するが,窒化後の焼鈍(1050℃, 5s)により空隙サイズは増大する.この現象は,プラズマ窒化直後では窒素は空隙へ捕獲され,陽電子で観測される空隙は見かけ上小さくなるが,焼鈍後,窒素が空隙の外へ拡散することにより,空孔サイズが大きくなると解釈することができる.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2006-06-14
著者
-
上殿 明良
筑波大数理
-
上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
-
鈴木 良一
産総研
-
大平 俊行
産総研
-
上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
-
大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
-
大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
-
伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
-
白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
-
山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
-
宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
-
梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
-
知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
-
犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
-
山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
-
知京 豊裕
物材機構
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
-
赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
-
奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
-
鈴木 良一
産業技術総合研究所
-
知京 豊裕
金属材料技術研究所
-
上殿 明良
筑波大学・物理工学系
-
山部 紀久夫
筑波大学
-
山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
-
梅澤 直人
南カリフォルニア大
-
白石 賢二
筑波大学
-
犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
-
大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
-
宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
-
山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
上殿 明良
筑波大学物理工学系
-
宮崎 誠一
広島大学大学院
-
大平 俊行
産業技術総合研究所
-
山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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