神山 聡 | (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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概要
関連著者
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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神山 聡
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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渡辺 啓仁
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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渡辺 啓仁
Nec 半導体生産技術本部 プロセス技術部
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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鈴木 基史
京大
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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鈴木 博
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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三瀬 信行
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)日立製作所中央研究所
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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栄森 貴尚
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(株)ルネサステクノロジ
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鈴木 博
日本電気
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ
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松木 武雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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諸岡 哲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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栄森 貴尚
(株)ルネサステクノロジ
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大路 譲
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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諸岡 哲
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
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諸岡 哲
(株)東芝 セミコンダクター社 半導体研究開発センター
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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上殿 明良
筑波大数理
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上殿 明良
筑波大学電子物理工学系
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鈴木 良一
産総研
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大平 俊行
産総研
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上殿 明良
筑波大学数理物質科学研究科
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大平 俊行
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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鈴木 良一
産業技術総合研究所計測フロンティア研究部門
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大塚 崇
筑波大学数理物質科学研究科
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伊東 健一
筑波大学数理物質科学研究科
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白石 賢二
筑波大学数理物質科学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学数理物質科学研究科
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宮崎 誠一
広島大学大学院 先端物質科学研究科
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梅澤 直人
物質材料研究機構(NIMS)
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知京 豊裕
物質材料研究機構(NIMS)
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犬宮 誠治
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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神山 聡
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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赤坂 泰志
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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知京 豊裕
物材機構
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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高石 芳宏
日本電気ulsiデバイス開発研究所
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坂尾 眞人
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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赤坂 泰志
東京エレクトロン株式会社
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角嶋 邦之
東工大総理工
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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鈴木 良一
産業技術総合研究所
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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上殿 明良
筑波大学・物理工学系
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由上 二郎
(株)日立製作所 中央研究所
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池田 和人
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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中島 謙
NEC ULSIデバイス開発研究所
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門島 勝
(株)半導体先端テクノロジーズ
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ
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青山 敬幸
(株)半導体先端テクノロジーズ
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中島 謙
NECマイクロエレクトロニクス研究所
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由上 二郎
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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及川 隆一
NEC ULSIデバイス開発研究所
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小野 春彦
日本電気(株)基礎研究所
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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山部 紀久夫
筑波大学
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梅澤 直人
南カリフォルニア大
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佐藤 基之
(株)半導体先端テクノロジーズ (selete)
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白石 賢二
筑波大学
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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由上 二郎
ルネサス テクノロジ
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犬宮 誠治
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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山下 浩
日本電気(株) Ulsiデバイス開発研究所 微細加工技術開発部
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渡辺 啓仁
日本電気(株)システムデバイス研究所
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大平 俊行
産業総合技術研究所計測フロンティア研究部門
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生田目 俊秀
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete):(現)(独)物質・材料研究機構
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芝原 健太郎
広島大学ナノデバイス・バイオ融合科学研究所:広島大学大学院先端物質科学研究科
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大西 貞之
NECエレクトロニクス(株)
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及川 隆一
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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芝原 健太郎
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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森 秀光
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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大西 貞之
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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中島 謙
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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山下 浩
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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伊藤 勝志
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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小島 義克
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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浜田 健彦
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
日本電気ULSIデバイス開発研究所
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森 秀光
NEC・ULSIデバイス開発研究所
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小山 邦明
NEC ULSIデバイス開発研究所
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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伊藤 勝志
NEC ULSIデバイス開発研究所微細加工技術開発部
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小野 春彦
NEC マイクロエレクトロニクス研究所 LSI基礎研究部
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宮崎 誠一
広島大学大学院先端物質科学研究科
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大路 譲
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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神山 聡
日本電気(株)システムデバイス基礎研究本部
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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小野 春彦
日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所
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門島 勝
ルネサステクノロジ
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三瀬 信行
日立製作所
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小野 哲郎
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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上殿 明良
筑波大学物理工学系
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宮崎 誠一
広島大学大学院
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大平 俊行
産業技術総合研究所
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
著作論文
- 低速陽電子ビームを用いたhigh-kゲート絶縁膜の空隙の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 低しきい値pMISFETに向けたAl_2O_3を堆積させたHfO_2ゲート絶縁膜のアニールプロセスの検討(レギュラーセッション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Ta_2O_5キャパシタを搭載したDRAM用の低温プロセス
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 斜めビット線配置COBスタックキャパシタ1GDRAMセル
- 1GビットDRAM用極薄Ta_2O_5膜形成技術
- しきい値電圧制御可能なゲートファースト メタルゲート/デュアル High-k CMOS