木村 健二 | 京大工
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木村 健二
京大工
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京大工
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東大教養
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戸崎 充男
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長枝 浩
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At&t Bell Labs.
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長谷川 雅考
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中嶋 薫
京都大学 大学院工学研究科
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木村 健二
京都大学 大学院工学研究科
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山田 啓作
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野平 博司
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小林 紘一
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筑波大数物
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斎藤 勇一
原研高崎
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山本 春也
原研高崎
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山本 春也
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岩田 泰嗣
東大教養学部
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藤本 文範
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小川 英巳
奈良女大理
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坂本 直樹
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住友重工
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青木 康
原研高崎
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Gibbons J.P.
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テネシー大
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Biedermann C.
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DeSerio R.
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Keller N.
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テネシー大
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京都大学大学院工
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京都大学大学院工
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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服部 俊幸
東工大原子炉研
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岩田 康嗣
東大核研
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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中本 篤
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東大核研
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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京大
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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万波 通彦
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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岩井 洋
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工藤 博札
筑波大数理物質科学研究科
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筑波大学大学院数理物質科学研究科
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沢田 真一
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岩井 洋
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木村 健二
京都大学 大学院 工学研究科
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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朝井 敏文
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大野 敦史
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宮下 基希
京大院工
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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京島 徹
シャープ研
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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園部 真也
京大工
著作論文
- 高分解能RBSを用いた表面・界面の評価
- 高分解能ラザフォード後方散乱法による表面分析
- 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
- 28p-YD-10 高速中性ヘリウムの炭素薄膜中でのエネルギー損失測定
- 27a-S-8 高速中性水素の炭素薄膜中でのエネルギー損失
- 30a-H-8 表面ウェイクによるコンボイ電子の加速 : Z_1依存
- 29p-H-3 高速軽イオンによるコンボイ電子
- 25a-G-6 共鳴励起イオンにより放出されたコンボイ電子
- 28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23pRB-4 KCl(001)表面で鏡面反射した低速C_^+イオンのエネルギー損失(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 26aWD-2 低速C_^+イオンのKCl(001)表面における中性化(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27p-Z-1 水素様イオンの共鳴励起の研究(II)
- 27pRA-13 鏡面反射イオンによりKCl(001)表面から放出される2次電子数と2次イオン収率の相関(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pRA-12 斜入射高速イオンによるイオン液体表面からの2次イオン放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aRB-1 斜入射高速イオンのイオン液体表面での散乱(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21pRE-3 KCl(001)で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離片に対する表面トラックポテンシャルの影響(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 21aRF-6 KCl(001)表面における低速グリシンイオンの散乱(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-2 KC1(001)結晶表面で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離過程II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-5 斜入射高速イオンによるKC1(00l)表面からの2次イオン放出II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 18aXK-1 ECRイオン源を用いたグリシンイオンの生成(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 26aWD-3 KCl(001)結晶表面で鏡面反射した1〜2MeV HeH^+分子イオンの解離過程(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 13aTG-3 低速 Ar^+ イオンの KC1(001) 表面における中性化 II(放射線物理, 領域 1)
- 22aXJ-7 ラザフォード後方散乱法によるSi/SiO_2界面酸化過程の解明(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
- Si中のSbの異常表面偏析
- 29a-YD-1 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果III
- 12.5-30keV He^+イオンに対するSnTe(001)単結晶清浄表面の阻止能
- 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果II
- 31p-PSB-56 MBE成長中のSiにおけるSbの異常表面偏析
- 28a-S-11 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果
- 28a-S-10 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能の近接効果
- 28a-S-9 PbSe(111)ホモエピタキシャル成長中の鏡面反射イオンの強度振動
- 28a-S-8 Si中にδ-ドープしたSbの高分解能RBS法による観察
- 30p-YB-11 SnTe(001) で鏡面反射した2MeV多価Cイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-9 単結晶表面で鏡面反射した数 10 keV 希ガスイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-8 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能
- 4p-B-3 固体表面の阻止能
- 3p-B-1 炭素薄膜中での30MeV H_3^+の解離
- 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
- 29p-YH-2 固体表面と高速イオンの相互作用
- 30p-YS-11 単結晶表面で斜入射散乱した高速粒子の飛行時間スペクトル
- 13p-Q-3 1 MeV H^+_2イオンに対するC-薄膜の阻止能
- 29a-YS-7 SnTe(001)表面で鏡面反射したMeVプロトンのエネルギーストラグリング
- 29a-YS-4 10 MeV/amu H_2^+、H_3^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 13p-Q-4 20MeV H^+_2イオンに対するC薄膜の阻止能 II
- 25a-L-10 20MeV H_2^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
- 30a-H-5 斜入射イオン散乱による表面のReal Time評価
- 28p-H-7 単結晶表面ですれすれ散乱した数+keVH^+のエネルギー損失
- 29p-ZG-13 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 表面チャネリング
- 29p-ZG-12 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 鏡面反射
- 25p-G-4 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失の荷電状態依存
- 25p-G-3 Si単結晶表面における斜入射散乱イオンのエネルギー損失
- 4p-L-4 Si(001)単結晶表面へ小角入射した軽イオンによる二次電子放出
- 3p-X-4 36MeV ^3He^+の薄膜透過に伴うコンボイ電子
- 24aRD-9 イオン性結晶の表面軸チャネリングイオンに対する相互作用ポテンシャル(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aRD-7 KCI(001)表面で鏡面散乱したC_イオンのC_2放出(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30a-H-2 表面ブロッキング法による表面近傍での阻止能の測定
- 24aRD-6 高速イオンの表面散乱(チュートリアル講演,24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 30a-H-1 高分解能イオン散乱分光法による表面一原子層ごとの分析
- 31a-X-1 高速HeH^+イオンの鏡面散乱における配向
- 31a-X-2 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギーロス
- 4a-L-3 MeV Heイオンの斜入射散乱-荷電状態
- 3a-L-6 MeV Heイオンの斜入射散乱によるPbSe / SnTe単結晶成長の初期過程の測定
- 30p-K-1 鏡面反射Heイオンの2次電子放出
- 5a-YC-9 鏡面反射イオンの二次電子放出
- 31p-P-16 結晶転位における面チャネルイオンの散乱
- 31p-P-14 Al-Zn, Al-Ag 合金単結晶中のG.P.ゾーンでのデチャネリング
- 2a-S-2 球状G.P.ゾーンを含むAl-Ag合金単結晶でのイオンチェネリング
- 5a-S-1 境界転位による チャネリングイオンの直接散乱II
- 25p-L-8 表面原子により散乱された高速Heイオンの荷電分布
- 30a-ZG-5 水素分子イオン照射による固体表面からの二次電子収量(放射線物理)
- 25p-L-10 表面散乱における高速HeH^+の解離過程
- 30a-H-4 表面散乱における高速分子イオンの配向
- 25p-G-6 高速H_2^+イオンによるSnTe単結晶からの二次電子放出
- 2a-G-8 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失と荷電状態
- 2a-G-5 高速分子イオンの鏡面散乱における中性解離片
- 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
- 20aTD-6 低速 Ar^+ イオンの KCI(001) 表面における中性化
- 高分解能RBS法の原理と分析精度
- 28pXD-5 表面トラックポテンシャルの阻止能への影響
- 22aWB-11 Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察
- 28a-WB-1 高分解能RBSによるSi(001)上のAg成長の研究
- 12p-Q-3 高分解能RBS法によるSnTe(100)上PbTe成長の初期過程の観察
- 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
- 13p-Q-13 斜入射散乱したMeV Liイオンのエネルギー損失の入射・出射電荷依存
- 30a-ZG-3 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトルII(放射線物理)
- 25a-L-6 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトル
- 27a-Z-2 イオン斜入射散乱迅速測定装置による成長中の結晶表面の評価
- 31aWD-1 高分解能 RBS による Si(001)(2×1) 清浄表面近傍の格子ひずみ測定
- 5p-P-6 Au/Ni(100)のエピタキシー成長初期段階のチャネリングによる研究
- 2a-R-7 チャネリングによる積層欠陥エネルギーの決定
- 3p-NT-4 転位におけるチャネリングイオンの散乱のエネルギー依存
- 28a-XK-11 表面チャネリングイオンの2次電子放出
- 2p-SH-5 PbSe/SnTe境界面におけるチャネリングイオンの散乱
- 5p-P-5 表面チャネリングイオンによる二次電子放出
- 11p-G-7 固体表面で小角散乱した水素分子イオンの解離
- 11p-G-6 単結晶表面におけるHeイオンの励起
- 25pRA-12 30keVC_イオンのSi中の飛程に対するクラスター効果(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 4p-X-3 速い分子イオンの表面散乱
- 12a-Y-3 Si{100}表面上のIn,Snの状態 : RHEED
- 11p-G-5 Ar^+照射によるAuスパタリングのイオン入射角依存
- 鏡面反射イオン分光による成長表面のその場研究 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 6a-C4-11 高速イオンの鏡面反射における表面ステップの影響
- 24aGD-8 高分解能RBSによるイオン液体2元混合物の表面組成分析(24aGD 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
- 21pEB-10 30keVC_イオンのSi中での振る舞いに対するクラスター効果(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 2a-R-4 固体表面での小角入射イオンの散乱
- 31p-P-15 チャネリングによるPbS/PbSe中の不一致転位網の構造決定
- 27aB-5 低速希ガス原子に対するKCI(001)表面の阻止能
- 24aAB-7 数百keV C_イオン照射によって形成された非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのTEM観察(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aAB-6 10-540 keV C_イオンを照射したSi中の照射損傷に対するクラスター効果(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27pEG-5 非晶質Si_3N_4薄膜中のイオントラックのHAADF-STEM観察(27pEG 放射線物理(放射線損傷・阻止能・二次電子放出・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 3a-D4-8 高速イオンチャネリングによるPbSe/SnTe(001)の成長初期過程の研究(放射線物理)
- 3a-D4-3 わん曲結晶中でGeVイオンのチャネルへの捕獲(放射線物理)
- 28p-I-4 水素様イオンの共鳴励起の研究I(放射線物理)
- 3a-D4-4 水素様イオンの共鳴励起の研究III(放射線物理)
- 3a-D4-5 チャネリングHeイオンの荷電状態(放射線物理)
- 3a-D4-13 軽イオンのすれすれ入射による清浄単結晶表面からの二次電子放出(放射線物理)
- 6pWE-2 RBS測定によるエネルギーストラグリングの評価(放射線物理,領域1)
- 27p-GA-2 単結晶表面第一層で反射される高速イオンの挙動(表面・界面)
- 25aZA-2 イオン照射によるSi(111)表面のクレータ状損傷の形成(25aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
- 29p-I-4 固体表面で小角散乱した高速イオンに伴うConvoy電子(放射線物理)
- 30a-I-3 高速イオンに対する固体表面の阻止能(放射線物理)
- 28p-M-8 チャネリングHeイオンのつくるコンボイ電子収量の出射電荷依存(28pM 放射線)
- 30p-CH-13 固体表面における高速水素分子イオンの解離(放射線物理,第41回年会)
- 30p-CH-8 固体表面で小角散乱したH^+イオンの中性化(放射線物理,第41回年会)
- 28p-M-9 SnTe単結晶表面で鏡面反射したMeV Heイオンによって生成されるコンボイ電子(28pM 放射線)
- 31p-W-3 鏡面反射イオンの表面近傍における荷電状態(31pW 放射線物理,放射線物理)
- 28p-M-6 面チャネリングHeイオンの荷電分布の面間位置依存性(28pM 放射線)
- 29a-M-2 高速分子イオンの表面散乱シミュレーション(29aM 放射線)
- 27pYF-3 Ge/Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
- 30p-CH-9 固体表面で鏡面反射したイオンのエネルギーロス(放射線物理,第41回年会)
- 1p-A5-9 イオン入射による音の発生(1p A5 放射線物理)