万波 通彦 | 京大工
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概要
関連著者
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万波 通彦
京大工
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京大工
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万波 通彦
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京大工
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京大工
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京大工
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京大・工
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中嶋 薫
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奈良女子大・理
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京大工
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坂本 直樹
奈良女理
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小川 英巳
奈良女理
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井東 崇志
京大工
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小川 英巳
奈良女子大学理
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松田 好史
京大工
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井田 浩史
京大工
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遠藤 芳夫
京大工
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AT&T Bell Labs.
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Fritz M
京大工
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長枝 浩
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長枝 浩
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Gossmann H.-j.
At&t Bell Labs.
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夏秋 信義
日立中研
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長谷川 雅考
電子京大工
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片山 一郎
阪大RCNP
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井村 英樹
京大・工
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京大工
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鍬田 直樹
京大工
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内田 哲也
京大工
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京都府大
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斎藤 勇一
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山本 春也
原研高崎
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山本 春也
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東大核研
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青木 康
原研高崎
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京都府大生命環境
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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上田 一之
豊田工業大学 ナノハイテクリサーチセンター
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服部 俊幸
東工大原子炉研
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戸崎 充男
京大riセ
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東大核研
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神大工
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M Fritz
京大工
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長枝 浩
京大工
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万波 通彦
京大 理
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京大工
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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阪大工
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京大工
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京大工
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京大院工
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京大工
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木村 健二
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(株)荏原製作所
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阪大工
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京大・工
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京大工
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小島 修一
京大工
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京大工
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沢田 真一
京大工
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京大工
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吉田 紘二
京都大学工学部
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吉田 鉱二
京大工量子セ
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木町 良弘
京大工
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朝井 敏文
京大工
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京島 徹
シャープ研
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末岡 浩二
京大工
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川面 澄
原研物理部
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池上 栄胤
京大工
著作論文
- 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
- 27a-S-8 高速中性水素の炭素薄膜中でのエネルギー損失
- 30a-H-8 表面ウェイクによるコンボイ電子の加速 : Z_1依存
- 29a-YD-1 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果III
- 12.5-30keV He^+イオンに対するSnTe(001)単結晶清浄表面の阻止能
- 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果II
- 31p-PSB-56 MBE成長中のSiにおけるSbの異常表面偏析
- 28a-S-11 表面チャネリングイオンのオコロコフ効果
- 28a-S-10 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能の近接効果
- 28a-S-9 PbSe(111)ホモエピタキシャル成長中の鏡面反射イオンの強度振動
- 28a-S-8 Si中にδ-ドープしたSbの高分解能RBS法による観察
- 30p-YB-11 SnTe(001) で鏡面反射した2MeV多価Cイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-9 単結晶表面で鏡面反射した数 10 keV 希ガスイオンのエネルギー損失
- 30p-YB-8 高速H_2^+イオンの解離片に対する表面阻止能
- 4p-B-3 固体表面の阻止能
- 3p-B-1 炭素薄膜中での30MeV H_3^+の解離
- 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
- 29p-YH-2 固体表面と高速イオンの相互作用
- 30p-YS-11 単結晶表面で斜入射散乱した高速粒子の飛行時間スペクトル
- 13p-Q-3 1 MeV H^+_2イオンに対するC-薄膜の阻止能
- 29a-YS-7 SnTe(001)表面で鏡面反射したMeVプロトンのエネルギーストラグリング
- 29a-YS-4 10 MeV/amu H_2^+、H_3^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 13p-Q-4 20MeV H^+_2イオンに対するC薄膜の阻止能 II
- 25a-L-10 20MeV H_2^+イオンに対するC薄膜の阻止能
- 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
- 30a-H-5 斜入射イオン散乱による表面のReal Time評価
- 28p-H-7 単結晶表面ですれすれ散乱した数+keVH^+のエネルギー損失
- 29p-ZG-13 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 表面チャネリング
- 29p-ZG-12 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 鏡面反射
- 25p-G-4 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失の荷電状態依存
- 25p-G-3 Si単結晶表面における斜入射散乱イオンのエネルギー損失
- 4p-L-4 Si(001)単結晶表面へ小角入射した軽イオンによる二次電子放出
- 3p-X-4 36MeV ^3He^+の薄膜透過に伴うコンボイ電子
- 30a-H-2 表面ブロッキング法による表面近傍での阻止能の測定
- 29a-YD-7 高分解能RBS法による表面原子の熱振動の観察
- 30a-H-1 高分解能イオン散乱分光法による表面一原子層ごとの分析
- 25a-B-10 PbS/SnTe(001), PbTe/SnTe(001) 二重膜の不一致転位
- 31a-X-1 高速HeH^+イオンの鏡面散乱における配向
- 31a-X-2 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギーロス
- 4a-L-3 MeV Heイオンの斜入射散乱-荷電状態
- 3a-L-6 MeV Heイオンの斜入射散乱によるPbSe / SnTe単結晶成長の初期過程の測定
- 30p-K-1 鏡面反射Heイオンの2次電子放出
- 5a-YC-9 鏡面反射イオンの二次電子放出
- 31p-P-16 結晶転位における面チャネルイオンの散乱
- 31p-P-14 Al-Zn, Al-Ag 合金単結晶中のG.P.ゾーンでのデチャネリング
- 2a-S-2 球状G.P.ゾーンを含むAl-Ag合金単結晶でのイオンチェネリング
- 5a-S-1 境界転位による チャネリングイオンの直接散乱II
- 2p GD-8 境界転移によるチャネリングイオンの直接散乱
- 25p-L-8 表面原子により散乱された高速Heイオンの荷電分布
- 30a-ZG-5 水素分子イオン照射による固体表面からの二次電子収量(放射線物理)
- 25p-L-10 表面散乱における高速HeH^+の解離過程
- 30a-H-4 表面散乱における高速分子イオンの配向
- 25p-G-6 高速H_2^+イオンによるSnTe単結晶からの二次電子放出
- 2a-G-8 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失と荷電状態
- 2a-G-5 高速分子イオンの鏡面散乱における中性解離片
- 25p-J-2 低速希ガス原子に対するSnTe(001) 表面の阻止能
- 2p-YF-12 高分解能ERDAシステムの開発
- 5a-YC-12 磁場型エネルギー分析器を用いた高分解能ERDA
- 28a-WB-1 高分解能RBSによるSi(001)上のAg成長の研究
- 12p-Q-3 高分解能RBS法によるSnTe(100)上PbTe成長の初期過程の観察
- 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
- 13p-Q-13 斜入射散乱したMeV Liイオンのエネルギー損失の入射・出射電荷依存
- 30a-ZG-3 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトルII(放射線物理)
- 25a-L-6 すれすれ散乱した数10keV H^+のエネルギースペクトル
- 27a-Z-2 イオン斜入射散乱迅速測定装置による成長中の結晶表面の評価
- 5p-P-6 Au/Ni(100)のエピタキシー成長初期段階のチャネリングによる研究
- 2a-R-7 チャネリングによる積層欠陥エネルギーの決定
- 3p-NT-4 転位におけるチャネリングイオンの散乱のエネルギー依存
- 3p-RJ-12 RHEED-LEED-AESによるSn/Si(001)系の超格子構造
- 2p-SH-5 PbSe/SnTe境界面におけるチャネリングイオンの散乱
- 5p-P-5 表面チャネリングイオンによる二次電子放出
- 11p-G-7 固体表面で小角散乱した水素分子イオンの解離
- 11p-G-6 単結晶表面におけるHeイオンの励起
- 4p-X-3 速い分子イオンの表面散乱
- 12a-Y-3 Si{100}表面上のIn,Snの状態 : RHEED
- 11p-G-5 Ar^+照射によるAuスパタリングのイオン入射角依存
- 鏡面反射イオン分光による成長表面のその場研究 (原子レベルでの結晶成長機構) -- (成長表面と界面構造)
- 6a-C4-11 高速イオンの鏡面反射における表面ステップの影響
- 2a-R-4 固体表面での小角入射イオンの散乱
- 31p-P-15 チャネリングによるPbS/PbSe中の不一致転位網の構造決定
- 3a-D4-8 高速イオンチャネリングによるPbSe/SnTe(001)の成長初期過程の研究(放射線物理)
- 3a-D4-3 わん曲結晶中でGeVイオンのチャネルへの捕獲(放射線物理)
- 28p-I-4 水素様イオンの共鳴励起の研究I(放射線物理)
- 3a-D4-5 チャネリングHeイオンの荷電状態(放射線物理)
- 27p-GA-2 単結晶表面第一層で反射される高速イオンの挙動(表面・界面)
- 29p-I-4 固体表面で小角散乱した高速イオンに伴うConvoy電子(放射線物理)
- 30a-I-3 高速イオンに対する固体表面の阻止能(放射線物理)
- 28p-M-8 チャネリングHeイオンのつくるコンボイ電子収量の出射電荷依存(28pM 放射線)
- 30p-CH-13 固体表面における高速水素分子イオンの解離(放射線物理,第41回年会)
- 30p-CH-8 固体表面で小角散乱したH^+イオンの中性化(放射線物理,第41回年会)
- 28p-M-9 SnTe単結晶表面で鏡面反射したMeV Heイオンによって生成されるコンボイ電子(28pM 放射線)
- 31p-W-3 鏡面反射イオンの表面近傍における荷電状態(31pW 放射線物理,放射線物理)
- 28p-M-6 面チャネリングHeイオンの荷電分布の面間位置依存性(28pM 放射線)
- 29a-M-2 高速分子イオンの表面散乱シミュレーション(29aM 放射線)
- 30p-CH-9 固体表面で鏡面反射したイオンのエネルギーロス(放射線物理,第41回年会)
- 1p-A5-9 イオン入射による音の発生(1p A5 放射線物理)