楢本 洋 | 原子力機構先端基礎セ
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概要
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名大工
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馬場 祐治
原子力機構量子ビーム
著作論文
- 21pTC-2 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価III(21pTC 融合セッション(原子分子・放射線)原子分子,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 25aYJ-4 クラスター誘起による2次電子のエネルギー分布(放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 27aXP-6 MeV炭素クラスターイオン・固体衝突による2次電子放出(放射線物理)(領域1)
- 28pXD-8 高速クラスターイオン照射表面からの 2 次電子放出
- 25aYL-12 イオン注入法により作成した金属中の玉葱状炭素集合体の構造
- 28a-XK-9 イオン誘起2次電子によるSi L殻電子のイオンビームシャドーイング測定
- 26a-YR-2 MeV重イオンを用いた透過チャネリング法によるAg/Au/Si(111)表面の吸着構造の解析
- 30p-K-10 Ag/Au/Si(111)薄膜結晶における高エネルギー重イオンの透過チャネリング
- 5a-YC-8 結晶標的におけるイオン誘起2次電子の生成とトランスポート
- 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
- 28p-YD-14 100keV/u軽イオン誘起による固体からの高速2次電子放出
- 原研高崎における無機物質の表面処理/解析の研究 (特集/イオンビ-ムと表面・表層・界面のかかわり(7))
- 28a-S-6 高速イオンビームシャドーイング II.イオンの固体内荷電状態
- 29a-YB-4 高速イオンによる電子反跳断面積の荷電依存と固体内荷電決定
- 29a-YS-10 高速イオンのシャドーイング効果による固体結合電子の解析
- 30a-ZG-12 高速重イオンの固体内荷電とスクリーニング(放射線物理)
- 25p-L-11 高速重イオンの固体内荷電の決定
- 28aWN-11 遷移金属・フラーレン混合物質の物質形成と磁性(フラーレン固体物性)(領域7)
- 28aWN-7 遷移金属・フラーレン混合物質の物質形成機構と電気伝導性(フラーレン固体物性)(領域7)
- 23aTG-10 その場光照射によるC60のポリマー化の形態(ナノチューブ・グラフェンにおける欠陥,領域7,領域10合同講演,領域7,分子性固体・有機導体)
- 22aTD-7 C_薄膜の光照射によるポリマー化と弾性特性変化(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 18pXB-9 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(ii)(格子欠陥・ナノ構造(電子状態・金属・炭素系物質),領域10,誘導体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 25aYK-11 C_薄膜の光照射及びイオン照射によるポリマー化の比較(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 28pXD-8 弾性測定によるC_薄膜のポリマリゼーションの研究(28pXD 格子欠陥,ナノ構造(半導体・炭素),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- 24aYM-2 超重力場処理後の金属間化合物(Bi_3Pb_7)の陽電子寿命測定(格子欠陥・ナノ構造,領域10(誘電体, 格子欠陥, X線・粒子線, フォノン物性))
- 12aWH-13 遷移金属・フラーレン混合物質の物質形成機構(フラーレン, 領域 7)
- 遷移金属とフラーレンの非平衡混合により誘起される新規ポリマー状C60基化合物
- 22aZF-11 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価II(22aZF 放射線物理(クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 23aRB-3 イオンビーム解析による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 22pRE-2 高速イオンを照射したC_薄膜のラマン分光解析(放射線物理(固体内衝突・損傷過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
- 25pRA-11 イオンビーム解析法による低エネルギーC_イオンのスパッタリング効果の評価IV(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 21pEB-11 C_イオン照射によるSiスパッタリング収量の非線形効果のエネルギー依存性(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 24aAB-6 10-540 keV C_イオンを照射したSi中の照射損傷に対するクラスター効果(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 29aXP-10 X線定在波法によるグラフェン/サファイア界面の解析(29aXP 領域7,領域4合同 グラフェン(分光・構造),領域7(分子性固体・有機導体))