中嶋 薫 | 京大工

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概要

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関連著者

• 中嶋 薫

  京大工

• 木村 健二

  京大工

• 鈴木 基史

  京大院工

• 鈴木 基史

  京大

• 中嶋 薫

  京大院工

• 木村 健二

  京大院工

• 木村 健二

  京大 大学院工学研究科

• 中嶋 薫

  京大 大学院工学研究科

• 鈴木 基史

  産業技術総合研究所

• 万波 通彦

  京大工

• 万波 通彦

  京大・工

• 鈴木 基史

  京大工

• 鳴海 一雅

  日本原子力研究開発機構先端基礎研究センター

• 高木 慎平

  京大院工

• 為広 信也

  京大院工

• 斎藤 勇一

  原子力機構高崎

• 木村 健二

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 中嶋 薫

  京都大学工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 鳴海 一雅

  原子力機構先端基礎セ

• 鳴海 一雅

  原子力機構

• 松下 知義

  京大院工

• 鈴木 俊朗

  京大院工

• 脇 祐介

  京大院工

• 阪田 正和

  京大院工

• 千葉 元気

  京大院工

• 辻岡 照泰

  京大工

• 藤居 義和

  神戸大工

• 森田 陽亮

  京大工

• 鳴海 一雅

  原子力機構高崎

• 鳴海 一雅

  原研高崎

• 楢本 洋

  原子力機構先端基礎セ

• 田中 晋介

  京大工

• 大木 俊

  京大工

• 安堂 豪

  京大工

• 羽野 仁彦

  京大工

• 齋藤 勇一

  原子力機構高崎研

• 中嶋 薫

  京都大学 大学院工学研究科

• 木村 健二

  京都大学 大学院工学研究科

• 奈良 安雄

  半導体先端テクノロジーズ(Selete)

• 山田 啓作

  早稲田大学ナノテクノロジー研究所

• 野平 博司

  Musashi Institute Of Technology

• 斎藤 勇一

  原子力機構

• 山田 圭介

  原子力機構高崎

• 楢本 洋

  原研高崎

• 斎藤 勇一

  原研高崎

• 山本 春也

  原研高崎

• 山本 春也

  原子力機構

• 青木 康

  住友重工

• 青木 康

  原研高崎

• 奈良 安雄

  (株)富士通研究所 Ulsi研究部門

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部

• 岡崎 康敬

  京大工

• 角嶋 邦之

  東工大総理工

• 岩井 洋

  東工大フロンティア研

• 千葉 敦也

  原子力機構高崎

• 前田 佳均

  原子力機構先端基礎セ

• 爲廣 信也

  京大院工

• 中嶋 薫

  京都大学大学院工

• 鈴木 基史

  京都大学大学院工

• 木村 健二

  京都大学大学院工

• 服部 健雄

  武蔵工業大学工学部

• 野平 博司

  武蔵工業大学工学部

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア創造共同研究センター

• 趙 明

  京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻

• 植松 真司

  NTT物性科学基礎研究所

• 鳥居 和功

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 舘 喜一

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 角嶋 邦之

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 岩井 洋

  東京工大フロンティア創造共同研究センター

• 中本 篤

  京大工

• 服部 健雄

  東北大学未来科学技術共同研究センター

• 鳴海 一雅

  京大工

• 藤居 義和

  京大工

• 長枝 浩

  京大

• 鳥居 和功

  日立製作所中央研究所

• 長枝 浩

  株式会社トリマティス

• 長枝 浩

  富士通

• 万波 通彦

  京大 理

• 安藤 豪

  京大工

• 服部 健雄

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 山田 啓作

  筑波大学数理物質科学研究科

• 服部 健雄

  武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター

• 奈良 安雄

  (株)半導体先端テクノロジーズ

• 岩井 洋

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 前川 真吾

  京大院工

• 神山 聡

  (株)半導体先端テクノロジーズ(selete)

• 植松 真司

  慶応義塾大学大学院理工学研究科

• 前田 謙一郎

  京大工

• 保坂 憲之

  京大工

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科

• Nohira Hiroshi

  Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology

• 岩井 洋

  (株)東芝研究開発センターulsi研究所

• Nakazawa Hiroshi

  New Industry Creation Hatchery Center Tohoku University

• 木村 健二

  京都大学 大学院 工学研究科

• 山田 啓作

  早稲田大学:筑波大学

• 大島 伸一

  京大院工

• 大野 敦史

  京大院工

• 宮下 基希

  京大院工

• 服部 健雄

  東京工大 フロンティア研究機構

• 舘 喜一

  東京工業大学フロンティア研究機構

• 園部 真也

  京大工

• 服部 健雄

  武蔵工業大学

• 前田 佳均

  原子力機構先端基礎セ:京大エネ科

• 山田 啓作

  筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST

• 楢本 洋

  原子力機構

• 山田 圭介

  原子力機構

• 千葉 敦也

  原子力機構

• 太田 行俊

  京大工

• 木下 恒平

  京大工

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著作論文

• 高分解能RBSを用いた表面・界面の評価
• 高分解能ラザフォード後方散乱法による表面分析
• 5a-YC-5 炭素薄膜を透過したMeV Bクラスターイオンのエネルギー損失
• 28pSD-4 KCl(001)表面におけるC_^+イオンの斜入射散乱(28pSD 領域1シンポジウム:エキゾチックな粒子ビームと固体・表面との相互作用,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23pRB-4 KCl(001)表面で鏡面反射した低速C_^+イオンのエネルギー損失(放射線物理(衝突に伴うエネルギー付与),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 26aWD-2 低速C_^+イオンのKCl(001)表面における中性化(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-13 鏡面反射イオンによりKCl(001)表面から放出される2次電子数と2次イオン収率の相関(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27pRA-12 斜入射高速イオンによるイオン液体表面からの2次イオン放出(27pRA 放射線物理(クラスター・二次粒子放出),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 23aRB-1 斜入射高速イオンのイオン液体表面での散乱(放射線物理(散乱素過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21pRE-3 KCl(001)で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離片に対する表面トラックポテンシャルの影響(放射線物理(エネルギー付与過程),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 21aRF-6 KCl(001)表面における低速グリシンイオンの散乱(放射線・原子分子融合(イオン・表面相互作用),領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-2 KC1(001)結晶表面で鏡面反射したHeH^+分子イオンの解離過程II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-5 斜入射高速イオンによるKC1(00l)表面からの2次イオン放出II(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• 18aXK-1 ECRイオン源を用いたグリシンイオンの生成(放射線物理,領域1,原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理)
• シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
• 26aWD-3 KCl(001)結晶表面で鏡面反射した1〜2MeV HeH^+分子イオンの解離過程(26aWD 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 13aTG-3 低速 Ar^+ イオンの KC1(001) 表面における中性化 II(放射線物理, 領域 1)
• 28a-S-9 PbSe(111)ホモエピタキシャル成長中の鏡面反射イオンの強度振動
• 2a-Q-6 PbSe(111)(√×√)R30°の高分解能RBSによる観察
• 24aRD-9 イオン性結晶の表面軸チャネリングイオンに対する相互作用ポテンシャル(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aRD-7 KCI(001)表面で鏡面散乱したC_イオンのC_2放出(24aRD 放射線物理・原子分子放射線融合(表面・イオン照射),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 30p-K-1 鏡面反射Heイオンの2次電子放出
• 5a-YC-9 鏡面反射イオンの二次電子放出
• 角度分解光電子分光法による深さ方向組成分析の高精度化の試み
• 20aTD-6 低速 Ar^+ イオンの KCI(001) 表面における中性化
• 高分解能RBS法の原理と分析精度
• 28pXD-5 表面トラックポテンシャルの阻止能への影響
• 22aWB-11 Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察
• 28a-WB-2 鏡面反射イオン分光によるlayer-by-layer成長表面のその場観察
• 31aWD-1 高分解能 RBS による Si(001)(2×1) 清浄表面近傍の格子ひずみ測定
• 28a-XK-11 表面チャネリングイオンの2次電子放出
• 25pRA-12 30keVC_イオンのSi中の飛程に対するクラスター効果(25pRA 放射線物理(固体との相互作用・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 24aGD-8 高分解能RBSによるイオン液体2元混合物の表面組成分析(24aGD 液体金属,領域6(金属,超低温,超伝導・密度波))
• 21pEB-10 30keVC_イオンのSi中での振る舞いに対するクラスター効果(21pEB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 27aB-5 低速希ガス原子に対するKCI(001)表面の阻止能
• 24aAB-6 10-540 keV C_イオンを照射したSi中の照射損傷に対するクラスター効果(24aAB 放射線物理(クラスター・微粒子),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
• 6pWE-2 RBS測定によるエネルギーストラグリングの評価(放射線物理,領域1)
• 25aZA-2 イオン照射によるSi(111)表面のクレータ状損傷の形成(25aZA 放射線物理,領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理分野))
• 27pYF-3 Ge/Si(001)酸化初期過程の高分解能RBSによる観察(27pYF 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長分野))

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