岩井 洋 | (株)東芝研究開発センターulsi研究所
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概要
関連著者
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学
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角嶋 邦之
東工大総理工
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角嶋 邦之
東京工業大学
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
(株)東芝
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
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勝又 康弘
(株)東芝セミコンダクタ社
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アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア研究機構
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西山 彰
東芝 研究開発センター
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
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角嶋 邦之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山田 啓作
筑波大学数理物質科学研究科
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パールハット アヘメト
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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アヘメト パールハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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山田 啓作
筑波大学大学院数理物質科学研究科:JST-CREST
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白石 賢二
筑波大院数物
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白石 賢二
筑波大学
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吉富 崇
(株)東芝研究開発センターULSI研究所
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構
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森藤 英治
(株)東芝
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Kimijima H.
(株)東芝
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森本 豊太
(株)東芝
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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吉富 崇
東芝セミコンダクター社
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大毛利 健治
早稲田大学ナノ理工学研究機構ナノテクノロジー研究所
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川那子 高暢
東京工業大学フロンティア研究機構
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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中村 新一
(株)東芝研究開発センター
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櫻井 蓉子
筑波大院数物
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野村 晋太郎
筑波大院数物
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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野村 晋太郎
筑波大数理物質:ntt物性基礎研
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア研究機構
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アヘメト パルハット
東京工業大学フロンティア研究機構
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中村 新一
(株)東芝
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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佐藤 創志
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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山田 啓作
早稲田大学:筑波大学
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宋 在烈
東京工業大学フロンティア研究センター
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櫻井 蓉子
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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ザデ ダリューシュ
東京工業大学フロンティア研究機構
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野平 博司
東京都市大
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア研究機構
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室 隆桂之
JASRI
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鈴木 基史
産業技術総合研究所
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山崎 順
名大エコ研
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田中 信夫
名大エコ研
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室隆 桂之
SPring-8 JASRI
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原田 慈久
東大院工
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奈良 安雄
半導体先端テクノロジーズ(Selete)
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山田 啓作
早稲田大学ナノテクノロジー研究所
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知京 豊裕
物材機構
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中村 仁
電通大
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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山崎 順
名大エコトピア研
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田中 信夫
名大エコトピア研
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知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構
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稲元 伸
名大院工
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中村 仁
電通大量子・物質工学科
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原田 慈久
理研SPring-8
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辛 埴
理研SPring-8
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原田 慈久
東大院工:東大放射光機構:理研:spring-8
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中嶋 薫
京大工
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木村 健二
京大工
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HORIKAWA Yuka
RIKEN/SPring-8
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松木 武雄
半導体先端テクノロジーズ(selete)
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奈良 安雄
(株)富士通研究所 Ulsi研究部門
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ 第一研究部
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田中 信夫
名古屋大学
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室 隆桂之
高輝度光科学研究センター
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奥西 栄治
日本電子(株)
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中嶋 薫
京大院工
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木村 健二
京大院工
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室 桂隆之
JASRI SPring-8
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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木村 健二
京大 大学院工学研究科
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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中山 恒義
北大院工
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知京 豊裕
金属材料技術研究所
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趙 明
京都大学大学院工学研究科マイクロエンジニアリング専攻
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植松 真司
NTT物性科学基礎研究所
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鳥居 和功
(株)半導体先端テクノロジーズ
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神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ
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舘 喜一
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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角嶋 邦之
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工大フロンティア創造共同研究センター
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知京 豊裕
物質材料機構
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鳥居 和功
日立製作所中央研究所
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中塚 理
名古屋大学
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白石 賢二
筑波大学大学院数理物質科学研究科
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中山 隆史
千葉大学理学部
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中嶋 薫
京大 大学院工学研究科
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大毛利 健治
早稲田大学
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茂森 直澄
東京工業大学フロンティア研究機構
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AHMET Parhat
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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来山 大祐
東京工業大学フロンティア研究機構
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小柳 友常
東京工業大学フロンティア研究機構
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Parhat Ahmet
東京工業大学フロンティア研究機構
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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中山 隆史
千葉大
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中山 隆史
千葉大学
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中山 隆史
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
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知京 豊裕
物質・材料研究機構ナノマテリアル研/物質研
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財満 鎭明
名古屋大学先端技術共同研究センター
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奈良 安雄
(株)半導体先端テクノロジーズ
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服部 健雄
東工大フロンティア研
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金 成国
ユー・ジェー・ティー・ラボ
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佐々木 雄一朗
ユー・ジェー・ティー・ラボ
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水野 文二
ユー・ジェー・ティー・ラボ
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舘 喜一
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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奥西 栄治
日本電子:jst-crest
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五月女 真一
千葉大学理学研究科基盤理学専攻
-
神山 聡
(株)半導体先端テクノロジーズ(selete)
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植松 真司
慶応義塾大学大学院理工学研究科
-
知京 豊裕
(独)物質・材料研究機構 半導体材料センター
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CHIKYOW T.
National Institute of Materials Science
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知京 豊裕
物材機構:comet-nims:科技機構戦略
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金 成国
株式会社 ユー・ジェー・ティ・ラボ
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AHMET P.
東京工業大学フロンティア研究センター
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中山 隆史
干葉大理
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松木 武雄
早稲田大学:jst-crest
-
五月女 真一
千葉大学理学研究料
-
町田 義明
千葉大学理学研究料
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中村 仁
電通大量子・物質工
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財満 鎭明
名古屋大学
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大毛利 健治
筑波大院数物
-
山田 啓作
筑波大院数物
-
中山 隆史
千葉大学理学研究料
-
大毛利 健治
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
野村 晋太郎
筑波大学大学院数理物質科学研究科
-
細井 隆司
東京工業大学フロンティア研究機構
-
小松 新
東京都市大学工学部
-
沼尻 侑也
東京都市大学
-
山下 晃司
東京都市大学
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服部 健雄
武蔵工業大学
-
室 隆桂之
SPring-8-JASRI
-
田村 雄太
東京工業大学フロンティア研究機構
-
吉原 亮
東京工業大学フロンティア研究機構
-
片岡 好則
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
野平 博司
東京都市大学工学部
-
中村 仁
電通大量子
-
角嶋 邦之
東京工業大学フロンティア研究機構
-
金原 潤
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
宮田 陽平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
著作論文
- 27pRE-9 収差補正TEM/STEMを用いたLa_2O_3/Si界面ラフネスの精密解析(27pRE X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 1.5nm酸化膜MOSFET
- 1.5nm酸化膜 MOSFET
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- CMOSにおけるプロセスダメージとアナログ特性の関係
- 24pXJ-10 シリコン表面極浅ドープボロン原子の内殻発光分光による電子状態観測(表面界面電子物性,領域9,表面・界面,結晶成長)
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- シリコンLSIの発展を支える超微細トランジスタプロセス技術 : 0.1およびSub-0.1μmMOSFETの高性能化のためのプロセス技術
- シリコンデバイスの微細化と性能限界
- 希土類酸化物La_2O_3膜を用いたGe MOSデバイスの特性改善のための極薄界面層の検討
- ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 25pHD-9 低温におけるSiナノワイヤーの発光特性(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- Siナノワイヤー、ナノレイヤの発光と界面(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- AR-XPSによる種々の表面処理したIn_Ga_As表面の化学結合状態の評価(プロセス科学と新プロセス技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 1.シリコンナノワイヤFET技術(ナノデバイス)
- ゲートスタック技術 (特集 ゲートスタック技術の表面・界面科学)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ゲートスタック技術