大見 俊一郎 | 東京工業大学・総合理工学研究科
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概要
関連著者
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大見 俊一郎
東京工業大学
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大見 俊一郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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大見 俊一郎
東京工業大学総合理工学研究科
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佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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佐藤 雅樹
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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高 峻
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学総合理工学研究科
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酒井 徹志
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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高 峻
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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黒瀬 朋紀
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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岩井 洋
東工大フロンティア研
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岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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黒瀬 朋紀
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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石川 純平
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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石川 純平
東工大
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岩井 洋
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
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岩井 洋
東京工業大学
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内川 偉史
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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山崎 崇
ソニー株式会社
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室田 淳一
東北大学電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学電気通信研究所附属超高密度・高速知能システム実験施設
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盛田 伸也
東京工業大学総合理工学研究科
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室田 淳一
東北大学
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室田 淳一
東北大学 電気通信研究所
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櫻庭 政夫
東北大学
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山崎 崇
東京工業大学総合理工学研究科
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大理 洋征龍
東京工業大学総合理工学研究科
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尾身 博雄
日本電信電話株式会社物性科学基礎研究所
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仲野 雄介
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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内川 偉史
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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鈴木 基史
京大院工
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鈴木 基史
京大
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尹 珠元
東京工業大学
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石原 宏
東京工業大学
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勝又 康弘
(株)東芝 セミコンダクター社 システムLSI開発センター
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野平 博司
Musashi Institute Of Technology
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高橋 功
関西学院大学理学部
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中嶋 薫
京都大学大学院工
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鈴木 基史
京都大学大学院工
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木村 健二
京都大学大学院工
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高橋 健介
武蔵工大工
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高橋 健介
武蔵工業大学工学部
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服部 健雄
武蔵工業大学工学部
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野平 博司
武蔵工業大学工学部
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原田 仁平
理学電機(株)x線研究所
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原田 仁平
名古屋大学
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石原 宏
東工大
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服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
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勝又 康弘
(株)東芝セミコンダクタ社
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服部 健雄
東京工業大学フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学シリコンナノ科学研究センター
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佐野 貴洋
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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大黒 達也
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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百瀬 寿代
(株)東芝セミコンダクタ社SoC研究開発センター
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白石 貴義
武蔵工業大学工学部
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伊藤 洋文
名古屋大学工学部
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高橋 功
名古屋大学工学部応用物理学科
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川崎 宏治
東京工業大学・総合理工学研究科
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古川 静二郎
東京工業大学・総合理工学研究科
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Sokolov N.S.
A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Russia
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川崎 宏治
東京工業大学院総理工
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Sokolov N.s.
A.f.ioffe Phisico-technical Institute Russia
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柏木 郁未
東京工業大学総合理工学研究科
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大島 千鶴
東京工業大学フロンティア研究所
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城森 慎司
京都大学大学院工学研究科
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社:広島大学
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大黒 達也
東芝セミコンダクター社
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大見 俊一郎
東工大
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仲西 知之
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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Nohira Hiroshi
Faculty Of Engineering Musashi Institute Of Technology
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高橋 博
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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矢橋 健一
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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古川 静二郎
東京工業大学 大学院総合理工学研究科
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野武 幸輝
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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須田 雄一郎
東京工業大学大学院総合理工学研究科物理電子システム創造専攻
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澤熊 悠
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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大熊 直樹
東京工業大学 大学院総合理工学研究科 物理電子システム創造専攻
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百瀬 寿代
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
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服部 健雄
東京工大 フロンティア研究機構
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服部 健雄
武蔵工業大学
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大黒 達也
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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百瀬 寿代
(株)東芝 研究開発センター デバイスプロセス開発センター 高性能CMOSデバイス技術開発部
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高橋 功
名古屋大学・工学部
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伊藤 洋文
名古屋大学・工学部
著作論文
- Characteristics of metal-ferroelectric-insulator-semiconductor structures based on poly (vinylidene fluoride-trifluoroethylene) (シリコン材料・デバイス)
- HfNのECR Ar/O_2プラズマ酸化プロセスによる極薄HfSiONの形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR-Ar/N_2プラズマにより形成したHfON膜の極薄膜化に関する検討(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- 2段階シリサイド化によるHf混晶化極薄PtSiの耐熱性向上に関する検討(半導体材料・デバイス)
- 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- 極薄SOI層と素子間分離領域の形成を一体化する新技術 : SBSI : SiGe選択エッチング特性の硝酸濃度依存性(2004先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア太平洋会議)
- Hf混晶化によるPtSiの高精度仕事関数制御に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- Yb混晶化PtSiの仕事関数変調機構(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRスパッタ法によるHfN/HfSiON積層構造のin-situ形成(プロセス科学と新プロセス技術)
- ECRプラズマプロセスによるHfO_2系絶縁膜の極薄膜化の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- マイクロ波Si系半導体素子・回路の技術動向及び今後の展望について
- 極薄希土類酸化膜/Si(100)界面構造(極薄ゲート絶縁膜・シリコン界面の評価技術・解析技術)
- 技術トレンド アメリカを中心とするゲート絶縁膜用High-k材料の最新技術動向
- 21世紀の半導体デバイスとリソグラフィ技術
- 微細シリコンデバイスに要求される各種高性能薄膜
- Hfとの混晶化によるPtSiの仕事関数制御(プロセス科学と新プロセス技術)
- HfNのECRプラズマ酸化によるHfON薄膜の形成(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ECR Ar/N_2プラズマ窒化による高誘電率HfO_xN_y薄膜の形成(Advanced ULSI Technology, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))
- Hf混晶化PtSiの仕事関数変調機構の検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討,AWAD2006)
- Twin-Channel (TC)-MOSFETの提案とデバイスプロセスの検討
- Twin-Channel (TC)-MOSFET の提案とデバイスプロセスの検討
- 多層Si/SiGe構造におけるSiGe層横方向選択エッチングと多層SOI構造の形成(プロセスクリーン化と新プロセス技術)
- PtSiを用いたせり上げサリサイドの選択エッチングプロセスとHf混晶化による仕事関数変調
- SBSIプロセスによるSOI/BOX層の均一形成に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)
- 電子情報通信学会(編), 角南英夫(著), "電子情報通信レクチャーシリーズ D-27 VLSI工学-製造プロセス編-", コロナ社(2006-08), B5判, 定価(本体3,300円+税)
- PtSiの混晶化による仕事関数変調
- International Symposium on Semiconductor manufacturing 2005(ISSM2005, 半導体生産技術国際シンポジウム2005)
- 混晶化によるPtSiのコンタクト抵抗低減に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)