川崎 宏治 | 東京工業大学・総合理工学研究科

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概要

• 同名の論文著者
• 東京工業大学・総合理工学研究科の論文著者

関連著者

• 川崎 宏治

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 川崎 宏治

  東京工業大学院総理工

• 筒井 一生

  東京工業大学大学院 総合理工学研究科

• 竹下 順

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 青柳 克信

  東京工業大学

• 青柳 克信

  理化学研究所・東京工業大学

• 武内 道一

  理化学研究所

• 武内 道一

  理化学研究所・東京工業大学

• 上嶋 和也

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 大見 俊一郎

  東京工業大学

• 大見 俊一郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• 高橋 功

  関西学院大学理学部

• 原田 仁平

  理学電機(株)x線研究所

• 原田 仁平

  名古屋大学

• 伊藤 洋文

  名古屋大学工学部

• 高橋 功

  名古屋大学工学部応用物理学科

• 古川 静二郎

  東京工業大学・総合理工学研究科

• Sokolov N.S.

  A.F.Ioffe Phisico-Technical Institute, Russia

• Sokolov N.s.

  A.f.ioffe Phisico-technical Institute Russia

• 井上 振一郎

  理化学研究所

• 大見 俊一郎

  東京工業大学大学院総合理工学研究科

• 古川 静二郎

  東京工業大学 大学院総合理工学研究科

• 高橋 功

  名古屋大学・工学部

• 伊藤 洋文

  名古屋大学・工学部

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著作論文

• 13a-Y-10 X線CTR散乱によるCaF_2/Si(111)界面構造と育成条件の研究
• CS-4-2 深紫外発光素子の開発(CS-4.窒化物/ワイドバンドギャップ光半導体とその応用の新展開,シンポジウム)
• 深紫外窒化物系発光デバイス
• 位置制御された自然形成金属量子ドットと単電子デバイス応用の提案
• エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
• エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
• 弗化物ヘテロ構造の量子効果デバイスへの応用

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