エピタキシャルCaF_2上への位置制御された量子構造の作製
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概要
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Si基板上にエピタキシャル成長させたCaF_2の表面に自然形成する直径10nm以下のGAドロップレットをステップエッジ上に一次元状に高密度に配置させることに成功した。また、CaF_2の表面を集束電子ビームで周期的にマトリックスアレイ状に描画することで表面状態の局所的改質を行い、間隔150nmで直径が10nm程度の微細なGaドロップレットを規則配置させることが可能になった。さらに、形成されたGaドロップレットにAs_4分子線を照射することでGaAs結晶化を試みた結果、良好な化学量論的組成を得た。本手法は、高密度の金属あるいは半導体の量子構造作製の新しい技術となり得る。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-04-24
著者
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
川崎 宏治
東京工業大学・総合理工学研究科
-
川崎 宏治
東京工業大学院総理工
-
上嶋 和也
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
竹下 順
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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