微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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本研究ではシリサイド形成時の界面制御方法としてNi/Si積層構造を提案する。Ni/Si積層構造によって形成した積層NiSi_2は界面反応を制御し平坦な界面を得ることができ、物理的・電気的にも幅広い温度領域で安定した特性であることを示した。またシリサイド/Si基板界面に不純物を導入することでショットキー障壁の変調が可能であり、不純物を導入していない場合と同様に平坦界面・安定な特性を有することを示した。そして微細3次元デバイスへの応用に向けて、積層NiSi_2を用いることでSi Finに対する界面反応が制御可能であることを示し、SOIシリサイドショットキーS/D MOSFETのS/Dに不純物導入積層NiSi_2を用いることでアンバイポーラ特性を抑制できることを示した。
- 一般社団法人電子情報通信学会の論文
- 2012-06-14
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
岩井 洋
東工大フロンティア研
-
岩井 洋
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
筒井 一生
東京工業大学大学院 総合理工学研究科
-
服部 健雄
東北大学未来科学技術共同研究センター
-
名取 研二
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
服部 健雄
東京工業大学フロンティア創造共同研究センター
-
アヘメト パールハット
東京工業大学 フロンティア創造共同研究センター
-
西山 彰
東芝 研究開発センター
-
杉井 信之
東京工業大学大学院総合理工学研究科
-
岩井 洋
(株)東芝研究開発センターulsi研究所
-
角嶋 邦之
東京工業大学
-
岩井 洋
東京工業大学
-
パルハット アヘメト
東京工業大学フロンティア研究機構
-
西山 彰
東京工業大学大学院総合理工学研究
-
田村 雄太
東京工業大学フロンティア研究機構
-
吉原 亮
東京工業大学フロンティア研究機構
-
片岡 好則
東京工業大学大学院総合理工学研究科
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