低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_<th>ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
薄膜BOX-SOI(SOTB)は,低不純物濃度チャネルでランダム不純物統計揺らぎ(Random dopant fluctuation: RDF)が小さいために,平面型CMOSとしては最もしきい値電圧(V_<th>)ばらつきが小さい.本研究では,RDFばらつきを低下させた後でのばらつき要因について検討し,より低いばらつきを実現するために必要な点を議論する.短チャネル効果抑制とシリコン(SOI)膜厚の均一性が重要である.また,よく指摘されている,PMOSに比べてNMOSのばらつきが大きい原因がチャネル不純物による可能性が高いことを示す.
- 2009-01-19
著者
-
杉井 信之
(株)日立製作所中央研究所
-
杉井 信之
日立製作所・中央研究所
-
鳥居 和功
日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所中央研究所
-
石垣 隆士
日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
日立製作所中央研究所
-
吉元 広行
日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所
-
鳥居 和功
日立・中研
-
石垣 隆士
(株)日立製作所中央研究所
-
木村 紳一郎
日立製作所中央研究所ulsi研究部
-
土屋 龍太
(株)日立製作所中央研究所
-
森田 祐介
(株)日立製作所中央研究所
-
土屋 龍太
日立製作所
-
石垣 隆士
日立製作所
-
鳥居 和功
日立製作所 中央研究所
関連論文
- 低速陽電子ビームを用いた high-κ 膜の空隙評価
- HfAlOxゲート絶縁膜をもつMOSキャパシタの過渡的電気特性(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリおよび一般)
- 低接触抵抗のポリシリコン選択ダイオードを用いた相変化メモリの低コスト化技術(固体メモリ及び一般)
- 高誘電体酸化物 / シリコン界面の創りこみ技術
- リーク電流が大きいMOSFETの移動度導出
- 極薄ゲート絶縁膜MOSFETの量子力学的解析
- High-k ゲート絶縁膜のスケーリング限界
- TiO_2ゲート絶縁膜形成から学ぶ界面の動力学
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 水素還元プロセスによるPt/Pb(Zr, Ti)O_3/Ptキャパシタ電気特性の変化
- シリコンとhigh-kゲート絶縁膜の界面の高分解能RBS/ERD分析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 酸素雰囲気アニール中のHfO_2/SiO_2/Si(001)界面反応の高分解能RBS観察(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 招待講演 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM) (シリコン材料・デバイス)
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 低不純物濃度チャネルで統計ゆらぎの小さい薄膜BOX-SOI(SOTB)のV_ばらつき解析(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 2004 VLSIテクノロジーシンポジウム報告
- 高電子移動度0.9nm-EOT TaSix/HfSiONゲートスタックの形成(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- レーザーアニールによる不純物活性化とSiデバイス応用
- Si_3N_4/Si-rich Nitride(SRN)/Si_3N_4積層膜の電子捕獲特性(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- シリコン半導体デバイスの展望 (特集 次世代ICT社会を支える最先端デバイス製造システム)
- 強誘電体薄膜作製技術とプロセス技術
- 一括加工による強誘電体キャパシタの形成とその特性
- 不揮発DRAM用高耐性・低電力回路技術
- DRAM絶縁膜用極薄PZT薄膜
- C1 トンネル音響顕微鏡によるPZT薄膜の観察(超音波非破壊評価)
- Hf系絶縁膜中の水素原子の原子レベルの挙動の理論的研究 : ホールを起源とした絶縁破壊のメカニズム(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- HfO_2系high-kゲート絶縁膜信頼性劣化の物理モデル(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- SiナノワイヤへのNiシリサイド形成と過剰な侵入とその抑制に関する検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- SiO_2基板上の非晶質Si/Ge積層構造におけるGe拡散と結晶化過程
- ばらつきが小さく, CMOS-LSIの超低消費電力化が可能な薄膜BOX-SOI(SOTB)
- インバータ速度制御、低Vthバラツキを可能にする薄膜BOX-SOIデュアル・バックバイアス制御技術(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- EOT=0.5nmに向けた希土類MOSデバイスの高温短時間熱処理の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- PA-5 歪イメージングによるPZT薄膜の観察(P.ポスターセッションA-概要講演・展示)
- D2G-SOIトランジスタを用いた低電力SoC向けSRAMセル(回路技術(一般,超高速・低電力・高機能を目指した新アーキテクチャ))
- SPS(Self-aligned Punch-through Stopper)構造のMOSFET動作特性
- MONOS型不揮発メモリーの電子および正孔トラップ解析(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- 最先端半導体プロセス・製造技術の展望 (特集 最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- SiGe固相成長による原子層レベル急峻ヘテロ界面の形成
- SC-9-3 Siヘテロ超構造技術とデバイス応用 : 現状と展望
- Wide-rangeバックバイアス制御を可能にする低電力・高性能Silicon on Thin BOXデバイス技術(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- XPS/AESによるHfSiOx薄膜の光学的誘電率の推定(ゲート絶縁膜, 容量膜, 機能膜及びメモリ技術)
- 重水を用いた原子層成長技術によるHigh-kゲート絶縁膜への重水素添加
- polySi/HfAlOx/SiONゲートスタックの経時絶縁破壊(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- XPS時間依存測定法によるHfAlOx薄膜中の電荷捕獲現象の評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 光電子分光分析によるHfAlOx/Si(100)系スタック構造における界面反応評価(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ナノメートル時代の半導体デバイスと製造技術の展望 (特集2 最先端半導体デバイスの製造を支えるベストソリューション)
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- SOIを用いた低電力SoC向けSRAMメモリセル(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低電力))
- 高誘電率ゲート絶縁膜のための統一的移動度模型(IEDM特集:先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- ナノメートル世代のシリコン半導体デバイスの展望 (特集1 ナノメートル時代の最先端半導体デバイスの量産を支えるベストソリューション)
- ギガビットDRAMに向けたキャパシタ技術 (超LSI製造・試験装置ガイドブック 2002年版) -- (総論)
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- 0.1-0.2μm MOSFETの電流駆動能力決定要因の解析
- Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析
- ラジカル窒化によるLa_2O_3ゲート絶縁膜への窒素導入効果 : 堆積時窒化によるEOT増加抑制効果(ゲート絶縁膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
- HfAlO_x/下地膜界面反応抑制の検討
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 薄膜BOX完全空乏型SOI MOSFETにおけるばらつきの影響
- 磁性体メモリ最新動向と多値スピン注入MRAM(MLC-SPRAM)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- 高速・低電力シリコンデバイスの現状と将来(ディジタル・一般)
- 高集積DRAMの現状と課題
- 半導体メモリー;DRAM
- 積み上げ拡散層型0.1μm-MOSFET
- 低接触抵抗ポリSiダイオード駆動の4F^2クロスポイント型相変化メモリ(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- 100nm世代のSoCプラットフォームに向けた丈高速および低電力/RF用途対応50nmCMOS技術
- 強誘電体薄膜表面の相分離層処理技術 : 化学処理による強誘電体薄膜表面の清浄化技術
- 研究紹介 HfO2系high-kゲート絶縁膜の信頼性劣化機構モデル
- 招待講演 スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術 (集積回路)
- 65nmノード向けHigh-kゲート絶縁膜技術 (特集 半導体プロセス技術のイノベーション)
- プラズマCVDによる酸化物超伝導膜の低温成長
- 微細CMOSの特性ばらつき問題を解決するドーパントレスFDSOI : SOTB
- スピン注入RAM(SPRAM)の動向および多値化技術(不揮発性メモリ,メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- スティープ・サブスレショルド・スイングFETへの新しいアプローチ(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- 高温熱処理とMIPS構造によるLa-silicate/Si界面特性の改善と低EOTの実現(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- コンダクタンス法を用いたHfO_2/In_Ga_Asの界面解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (シリコン材料・デバイス)
- 依頼講演 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術 (集積回路)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- フォトン・リサイクリングGaN p^+nダイオード
- BEOLプロセスを用いた超低電圧デバイスの開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- 0.5V動作高速CMOS LSIの実現に向けたデバイス特性考慮回路設計(メモリ(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリ)技術)
- 微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 超低電力LSIを実現する薄膜BOX-SOI(SOTB)CMOS技術(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) MOSトランジスタにおけるドレイン電流ばらつき(SOIテクノロジ,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 完全空乏型Silicon-on-Thin-BOX (SOTB) SRAMセルの電源電圧0.4Vにおけるセル電流ばらつき低減(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)